Моделирующая схема
Cтраница 1
 |
Учет барьерных емкостей р-п переходов. [1] |
Моделирующие схемы чаще всего применяются для отображения частотных зависимостей электрических характеристик транзистора. Они позволяют аналитически выразить частотные зависимости всех параметров эквивалентного четырехполюсника, иллюстрируют механизм формирования этих зависимостей и представляют собой удобную форму передачи информации о частотных свойствах транзистора. [2]
 |
Учет барьерных емкостей р-п переходов. [3] |
Моделирующие схемы чаще всего применяются для отображения частотных зависимостей электрических характеристик транзистора. Они позволяют аналитически выразить частотные зависимости всех параметров эквивалентного четырехполюсника, иллюстрируют механизм формирования этих зависимостей и представляют собой удобную форму передачи сведений о частотных свойствах транзистора. [4]
Электрические моделирующие схемы, содержащие около сотни усилителей, - легко собираются и позволяют получать решение простым измерением напряжений в соответствующих точках. [5]
 |
Типичные зависимости параметров маломощного транзистора от постоянного напряжения. коллектора. [6] |
Зависимости параметров моделирующих схем транзисторов от тока эмиттера представлены в аналитических выражениях этих параметров при описании соответствующих схем ( см. стр. [7]
 |
Параметры ф-л ( 2 - 162, ( 2 - 163. [8] |
Зависимости параметров моделирующих схем транзисторов от тока эмиттера отражены в аналитических выражениях этих параметров при описании соответствующих схем ( стр. [9]
На практике обычно используются моделирующие схемы, содержащие не более трех-четырех звеньев. [10]
Вследствие приближенного характера ВЧ моделирующих схем на практике их параметры принимают не вполне одинаковые значения на различных частотах. Поэтому если в расчетах применяются не приближенные теоретические или усредненные типовые значения параметров, а непосредственно измеренные в данном режиме, то при проектировании узкодиапазонных устройств целесообразно использовать значения, соответствующие нужному диапазону частот. [11]
 |
Графики для определения параметров дрейфового транзистора.| Графики для определения параметров дрейфового транзистора. [12] |
Несмотря на возможные упрощения, моделирующие схемы дрейфовых транзисторов представляются достаточно сложными. [13]
 |
Общий вид электромоделирующей установки МН-11. [14] |
В одной части размещаются элементы моделирующей схемы, выполненные в виде съемных блоков. В части, где сосредоточен основной монтаж усилителей, размещается коммутатор. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5