Моделирующая схема

Cтраница 2

Учет барьерных емкостей р-п переходов. [16]

Существует много различных по сложности моделирующих схем. Выбор той или иной схемы зависит не только от типа транзистора, но и от решаемой задачи, и в первую очередь от необходимой точности расчетов. [17]

Сопоставление коэффициентов в ур-ниях для моделирующей схемы и для эквивалентного четырехполюсника позволяет выразить параметры четырехполюсника через элементы моделирующей схемы. [18]

Схема моделирования токопередающих аппаратов. [19]

Для записи колебаний в электрической моделирующей схеме рубильник d отключается при одновременном включении рубильника d2 с целью сохранения постоянства заряда емкости перед включением ее на колебательный контур. [20]

Существует большое количество различных по сложности моделирующих схем. Выбор той или иной схемы зависит не только от типа транзистора, но и от решаемой задачи и в первую очередь от необходимой точности расчетов. [21]

Схема каскада УРЧ на транзисторе. [22]

Для расчета усилителя необходимо иметь параметры смешанной моделирующей схемы гв, Сб. So, которые не приводятся в справочниках. [23]

Обобщенная выходная статическая характеристика полевого транзистора. [24]

Поскольку эта емкость распределена вдоль канала, точная моделирующая схема должна содержать длинную линию. Величина C3i составляет примерно 2 / 3 общей емкости затвора относительно канала, а сопротивление rt - примерно 1 / 4 сопротивления канала. [25]

Со стороны полюсов, подключаемых к диоду, моделирующая схема, подобно схемам рис. 2.14, содержит шунтирующую емкость С &, которая определяет ход ее полного сопротивления на частотах выше третьей гармоники гетеродина. В части схемы, лежащей левее зажимов 1 - 1, содержится один избыточный, произвольно выбираемый элемент. Это позволяет выполнить условия равенства импедансов моделирующей схемы и внешней цепи на первой и второй гармониках гетеродина, не используя отрицательных значений реактивных элементов в моделирующей схеме. [26]

Такая задача решается путем составления уравнений Кирхгофа для моделирующей схемы и приведения этих уравнений к форме, соответствующей уравнениям вида четырехполюсника в системе интересующих параметров. Сопоставление коэффициентов в уравнениях для моделирующей схемы и для эквивалентного четырехполюсника выявляет выражения параметров четырехполюсника через элементы моделирующей схемы. [27]

Малая - индуктивность Ls, нарушающая структурное соответствие моделирующей схемы схемам рис. 2.14, которые начинаются с шунтирующей емкости Се, введена в целях повышения устойчивости численных решений системы нелинейных дифференциальных уравнений. Ls выбирают так, чтобы ее реактивное сопротивление на частоте гетеродина было на порядок меньше модуля моделируемого импеданса. ЭДС источника Ег выбирают из условия получения заданной номинальной мощности гетеродина на зажимах, подключаемых к диоду. Отметим, что элементы моделирующей схемы, лежащие левее зажимов 1 - 1, в каждой точке настройки или частотного диапазона смесителя определяются заново. [28]

В ней точечный транзистор представлен Г - образной моделирующей схемой, причем реактивные элементы схемы не учитываются. Устойчивость транзистора определяется при коротких замыканиях его выводов. [29]

Среднечастот-ная Т - образная эквивалентная схема бездрейфового транзистора. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5