Моделирующая схема

Cтраница 4

Такие приборы должны описываться матрицей Z-параметров и для их иадо использовать схему замещения рис. 5 - 3 а, которая отображает лрироду внутренних обратных связей в приборе. Моделирующая схема транзистора, предложенная Джаколет-то ( рис. 4 - 4), представляет собой развитие схемы замещения, соответствующей матрице У-параметров, которая должна применяться для приборов, устойчивых при замыкании входа и выхода. [46]

Остальная часть порядка моделирования одинакова с линейным случаем. Окончательная моделирующая схема дана на фиг. Важно подчеркнуть, что эта моделирующая схема не является более сложной, чем схема моделирования линейного дифференциального уравнения. [47]

Моделирующие эквивалентные схемы составляются путем моделирования физических процессов в транзисторе или путем синтеза цепей, внешние свойства которых удовлетворительно отражают ход тех или иных зависимостей параметров эквивалентного четырехполюсника. Параметры элементов моделирующих схем вычисляются с помощью соотношений, вытекающих из физической теории транзистора, или на основании экспериментальных исследований моделируемых зависимостей. Такие схемы по своей природе являются приближенными, причем сложность их структуры находится в прямой связи с точностью и полнотой отображения моделируемых свойств транзистора. [48]

Моделирующие эквивалентные схемы составляются путем моделирования физи-зических процессов в транзисторе или путем синтеза цепей, внешние свойства которых удовлетворительно отражают ход тех или иных зависимостей параметров эквивалентного четырехполюсника. Параметры элементов моделирующих схем вычисляются с помощью соотношений, вытекающих из физической теории транзистора, или на основании экспериментальных исследований моделируемых зависимостей. Такие схемы по своей природе являются приближенными, причем сложность их структуры находится в прямой связи с точностью и полнотой отображения моделируемых свойств транзистора. [49]

Эквивалентные схемы варикапов для области низших ( а и высших ( б частот.| Зависимости добротности варикапа от частоты ( а и обратного напряжения ( б. [50]

Эквивалентные схемы варикапа аналогичны эквивалентным схемам диодов. В полной моделирующей схеме ( рис. 9 - 28) учитываются емкость р-п перехода С, утечка g, шунтирующая запертый р-п переход, сопротивление выводов г ( в том числе объемное сопротивление полупроводниковой пластинки), собственная индуктивность LM выводов и конструктивная емкость См корпуса и выводов. Элементы LM и См оказываются существенными лишь в области СВЧ, причем их присутствие может привести к заметным отклонениям действующей емкости варикапа от емкости С p - n - перехода. Роль активного сопротивления г и проводимости утечки g с изменением рабочей частоты изменяется. [51]

Эквивалентные схемы варикапов для области нижних ( а и иерхних ( б частот.| Зависимость добротности варикапа от частоты ( а и обратного напряжения ( б. [52]

Эквивалентные схемы варикапа аналогичны эквивалентным схемам диодов. В полной моделирующей схеме ( рис. 2 - 19) учитываются емкость р-п перехода С Сб, утечка g, шунтирующая запертый р-п переход, сопротивление выводов г ( в том числе объемное сопротивление полупроводниковой пластинки), собственная индуктивность LM выводов и конструктивная емкость См корпуса и выводов. Элементы LM и См оказываются существенными лишь в области СВЧ, причем их присутствие может привести к заметным отклонениям действующей емкости варикапа от емкости Се р-п перехода. Роль активного сопротивления т и проводимости утечки g изменяется с изменением рабочей частоты. [53]

Моделирующая схеиа для области СВЧ. [54]

Ниже приводятся наиболее распространенные моделирующие схемы транзисторов, у которых. [55]

Такая задача решается путем составления уравнений Кирхгофа для моделирующей схемы и приведения этих уравнений к форме, соответствующей уравнениям вида четырехполюсника в системе интересующих параметров. Сопоставление коэффициентов в уравнениях для моделирующей схемы и для эквивалентного четырехполюсника выявляет выражения параметров четырехполюсника через элементы моделирующей схемы. [56]

Кинематическая схема манипулятора. [57]

Двумя специфическими особенностями исполнительных органов манипуляторов являются: высокая размерность, обусловленная большим числом их степеней свободы; наличие ряда вращательных пневматических пар, приводящее к необходимости вычисления тригонометрических функций соответствующих углов поворота. Эти особенности затрудняют набор и отладку моделирующей схемы. Поэтому на первом этапе работы моделировались движения идеального манипулятора - плоского механизма, кинематическая схема которого вклю-чает две поступательные и одну вращательную пару. Это простейшая система, которая обладает в то же время указанными выше особенностями - избыточностью и нелинейными функциями положения. [58]

Основной трудностью, которая стояла на пути распространения методов моделирования к исследованию реальных промышленных электроприводов, являлась недостаточная достоверность воспроизведения, связанная с приближенностью математических описаний н большими ошибками при определении параметров. Необходимо также было улучшить способы проверки правильности набора моделирующей схемы и разработать методику комплексного исследования, сочетающего моделирование с расчетными методами. [59]

Помимо этого предполагается, что непрерывное объемное тепловыделение, обусловленное прохождением электрического тока вдоль стенки нагревателя, можно моделировать, применяя точечные источники тока, равномерно распределенные по всей стенке. Чтобы оценить результаты, которые можно ожидать при бесконечном увеличении числа таких точечных источников, были созданы моделирующие схемы с поочередным изменением числа ( 1, 4 и 16) точечных источников, приходящихся на площадь, равную квадрату толщины стенки ( фиг. Это новый технический пример в моделировании, который, как полагают авторы настоящей работы, является первой попыткой моделировать объемное тепловыделение с помощью электропроводной бумаги. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5