Моделирующая схема

Cтраница 3

Смешанная П - образная схема ( рис. 9 - 67) представляет собой наиболее распространенный вариант широкополосной моделирующей схемы для включения с общим эмиттером. Обычно она хорошо описывает внешние свойства транзистора в полосе частот до ( 0 5 - 0 7) / и, гарантируя точность расчетов не хуже 30 %, если ее элементы найдены экспериментально. [31]

Сопоставление коэффициентов в ур-ниях для моделирующей схемы и для эквивалентного четырехполюсника позволяет выразить параметры четырехполюсника через элементы моделирующей схемы. [32]

Двухгенераторные схемы замещения транзистора, вытекающие из уравнений четырехполюсника. [33]

Конфигурация схемы замещения, изображенная на рис. 9 - 59, г, совпадает с Т - образной низкочастотной моделирующей схемой ( см. рис. 9 - 63), у которой, однако, значения элементов могут быть иными. [34]

Двухгенераторные схемы замещения транзистора, построенные на основе уравнений эквивалентного четырехполюсника в z - параметрах ( о, - параметрах ( б и Л - параметрах ( в. [35]

Конфигурация схемы замещения, изображенная на рис. 2 - 48, г, совпадает с Т - образной НЧ моделирующей схемой ( см. рис. 2 - 52, о), у которой, однако, значения элементов могут быть иными. [36]

Функциональная схема соединений при решении дифференциального уравнения третьего порядка. [37]

Входы и выходы этих элементов выводятся на специальное наборное ( коммутационное) поле, на котором с помощью проводников собирается моделирующая схема для решения конкретной задачи. После подачи в схему питания на выходе можно непрерывно снимать напряжение, изображающее искомую величину. [38]

В связи с широким распространением инженерных методов расчета, опирающихся на теорию линейных активных четырехполюсников, зачастую возникает необходимость в переходе от описания транзистора при помощи моделирующей схемы к выражению его характеристик при помощи параметров эквивалентного четырехполюсника. [39]

В связи с широким распространением инженерных методов расчета, опирающихся на теорию линейных активных четырехполюсников, часто возникает необходимость в переходе от описания транзистора при помощи моделирующей схемы к выражению его характеристик при помощи параметров эквивалентного четырехполюсника. [40]

Моделирующая схема транзистора для СВЧ области.| Модификация Т - образных НЧ схем, учитывающая емкость коллекторного перехода. [41]

Для практических расчетов удобны эквивалентные схемы, в которых ОТМ представлена не в виде четырехполюсника, как на рис. 2 - 50 и 2 - 51, а моделирующей схемой, состоящей из сосредоточенных элементов, параметры которых не зависят от частоты. Все такие схемы являются приближенными, поскольку характеристики ОТМ выражаются гиперболическими функциями ( 2 - 142), которые точно моделируются лишь с помощью длинных линий. [42]

В зависимости от того, какие представления послужили для составления эквивалентной схемы и вычисления ее параметров, эквивалентные схемы транзисторов делятся на два класса: формальные схемы замещения и моделирующие схемы. Подобно параметрам эквивалентного четырехполюсника параметры элементов схем замещения зависят от схемы включения транзистора, от рабочей точки, частоты сигнала и от температуры. В области ВЧ параметры всех элементов схем замещения становятся комплексными частотно-зависимыми величинами. [43]

Широкополосная смешанная П - обраэ-ная моделирующая схема.| Среднечастотные моделирующие схемы. [44]

При использовании транзистора в узкополосных каскадах, например, в усилителях ПЧ и ВЧ, на частотах от десятков килогерц до ( 0 2 - 0 3) / т можно пользоваться широкополосными моделирующими схемами, исключив из них элементы, существенные лишь на НЧ. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5