Ионное внедрение
Cтраница 1
Ионное внедрение ( ионная имплантация) материала примеси является новым методом, решающим аналогично диффузионному методу задачи формирования р-п переходов и изменения проводимости участков полупроводника. Легирующее вещество в виде пучка ионов, ускоренных до энергий 10 - 100 кэВ, направляется на поверхность полупроводниковой пластины. [2]
Методом ионного внедрения акцепторных примесей в SiC удается получить, в частности, светодиодные структуры с более высокими, чем у диффузионных структур, яркостными характеристиками. [3]
При ионном внедрении движение ионов и их распределение в полупроводнике определяются параметрами процесса: энергией ионов Е; плотностью ионного тока в пучке J и дозой облучения Q Jt, где t - время облучения. J 0 1 - f - 100 мкА / см2; Q 6 1011 - - 6 X X Ю17 см-2; глубина слоев 0 1 - ч - 0 4 мкм. [4]
В методе ионного внедрения ионы, ускоренные в постоянном электрическом поле, бомбардируют подложку, которая служит катодом. Они разрушают ее, и скорость диффузии в поврежденном слое увеличивается. Если после этого или заранее ввести в систему газ, то его компоненты могут диффундировать в подложку. [5]
Достоинствами метода ионного внедрения являются низкая температура технологических процессов, возможность точного контроля глубины залегания р-п переходов, резкая граница р-п перехода, возможность использования обратных последовательностей технологических процессов ( например, сначала нанесение защитного слоя тонкого окисла в МОП-транзисторах, а потом внедрение сквозь него ионов для формирования истока и стока. [6]
Примером необратимых процессов служат диффузия и ионное внедрение. [7]
 |
Пробеги и дисперсии пробегов ионов В и As с энергией Е0 в SiO.| Значения коэффициента а ( примесь В, маска SiO2 Ослабление пучка QS / Q. [8] |
Распыление поверхностного слоя кристалла в процессе ионного внедрения одновременно с проникновением ионов в глубину кристалла происходит вследствие отрыва атомов под действием ионов, энергия которых значительно превышает энергию связи атома на поверхности. Распыление мишени может оказать влияние на конечный профиль распределения ионов, а также привести к тому, что общее количество внедренных ионов окажется меньше дозы облучения. [9]
Защитные пленки SiO2 получают также методом ионного внедрения ионов кислорода. Основным достоинством этого метода является возможность локального нанесения пленок SiO2 на участки поверхности кремния. [10]
Перспективным методом формирования - - переходов является метод ионного внедрения или ионной имплантации. Суть этого метода состоит в бомбардировке полупроводника ионами примеси с энергией в несколько десятков килоэлектрон-вольт. Необходимую энергию ионы получают при ускорении в электрическом поле ионно-лучевого ускорителя. Перспективность метода ионного внедрения заключается в возможности проводить управляемое легирование поверхностных и подповерхностных слоев полупроводника точно дозированными количествами почти любых химических элементов при относительно низкой температуре полупроводника. [11]
Кроме диффузии, применяется также ионная имплантация, или ионное внедрение, - бомбардировка поверхности пластинки ионизированными атомами примесей. [12]
На рис. 9 - 1 показана схема типичной установки ионного внедрения. Пучок формируется с помощью обычной системы электростатических линз. Для его совпадения с щелью магнита используются отклоняющие пластины. Ускорение до энергии больше 1016 Дж осуществляется подачей высокого потенциала на мишень. Вакуум в системе поддерживается на уровне 10 - 3 Па в камере источника и 10 - 5 Па в камере мишени. [13]
Перспективным методом формирования p - n - переходов является метод ионного внедрения или ионной имплантации. Суть этого метрда состоит в бомбардировке полупроводника ионами примеси с энергией в несколько десятков килоэлектрон-вольт. Необходимую энергию ионы получают при ускорении в электрическом поле ионно-лучевого ускорителя. Перспективность метода ионного внедрения заключается в возможности проводить управляемое легирование поверхностных и подповерхностных слоев полупроводника точно дозированными количествами почти любых химических элементов при относительно низкой температуре полупроводника. [14]
Важное значение в производстве полупроводниковых ИМ имеют эпитаксиальные и легированные диффузией или ионным внедрением слои полупроводниковых материалов. Основными параметрами материала являются удельное ( или поверхностное) сопротивление, подвижность и время жизни носителей заряда, тип проводимости, ориентация монокристаллического слоя, концентрация носителей заряда. [15]
Страницы: 1 2 3 4