Ионное внедрение

Cтраница 4

Несмотря на то, что первые поисковые исследования в области интегральной оптики были выполнены в конце 60 - х годов, интенсивное исследование интегральной оптики началось в 70 - е годы. Разработка оптических интегральных схем связана с применением новейших технологических приемов ( электронно-лучевая литография, ионное внедрение, жидкофазная гетероэпитаксия, плазменное ВЧ распыление и пр. [46]

На рис. 4.36 показан поперечный разрез структуры сверхвысокочастотного транзистора, сформированного в эпитаксиальном слое 2 n - типа, нанесенном на подложку / п Типа. Базовый слой 3 р-типа и эмиттерный слой 9 п - типа создаются последовательно диффузией или ионным внедрением соответствующих примесей. Для уменьшения сопротивления г ъ пассивную базу ( под базовым контактом 5) дополнительно легируют акцепторами, в результате образуются контактные области 4 р - типа. Выводы от эмиттеров формируют нанесением сильнолегированного хорошо проводящего слоя 8 поликристаллического кремния. [47]

Двухстадийная твердофазная эпитаксия в КНС-технологии. [48]

Существуют методы, позволяющие значительно улучшить качество тонкого слоя Si в КНС-структурах. Это, например, метод твердофазной эпитаксии, показанный на рис. 4.14. С лицевой стороны КНС-структуры производится ионное внедрение Si, по глубине достигающее границы раздела Si / сапфир, в результате чего происходит разупорядочение Si вблизи границы раздела. Затем проводится термообработка КНС-структуры при температуре 1000 С, и в верхней части слоя Si происходит рекристаллизация. [49]

Концентрационный профиль водорода, внедренного ионной бомбардировкой ( Аг 25 кэВ, 0 1 тА / ст2 в нержавеющую сталь ОХ18Н10Т. [50]

Для исследования профиля распределения концентрации при легировании образцов можно также не использовать эталоны. Зная общее количество внедренного элемента, можно легко определить произведение Rt-S - Ql2ne по светосумме линий i при полном-распылении легирующего слоя После ионного внедрения водорода с энергией 25 кэВ и дозой 1019 см-2 в нержавеющую сталь проводилось распыление этого образца на той же установке пучком ионов аргона при скользящих углах падения - 70 для исключения внедрения аргона и достижения условия неселективного распыления. При этом одно временно с распылением образца регистрировалась интенсивность оптического излучения резонансных линий водорода ( А, 656 3 мм) по глубине распыляемого слоя. [51]

Проблема уменьшения встроенных емкостей, образующихся вследствие частичного перекрытия затвором областей истока и стока, решена путем использования ионного внедрения и формирования самосовмещающегося затвора. Последовательность операций изготовления в этом случае является следующей: / - формирование тонкого окисла под затвором; 2 - наращивание поликристаллического кремния - затвора; 3 - формирование окон для участков истока и стока; 4 - ионное внедрение примеси р-ти-па; 5 - выращивание толстого окисла; 6 - фотолитография окон под контактные площадки; 7 - осаждение металлической пленки; 8 - фотолитография контактов и соединительных проводников. Благодаря использованию ионного внедрения вместо диффузии примеси не попадают иод защитный слой затвора, в результате чего устраняется перекрытие затвором областей истока и стока. [52]

Применяются при изготовлении этикеток и упаковок из бумаги, фольги, полимерных пленок, нек-рых видов газетной и книжной продукции. ФЛЙККЕР-ЭФФЕКТ ( от англ, flicker - мерцание) - флуктуации эмиссии электронов с поверхности накаленного катода, возникающие вследствие испарения атомов в-ва катода, диффузии их из глубинных слоев к поверхности, бомбардировки катода положит, ионами, приводящей к ионному внедрению и образованию на поверхности катода примесных атомов. [53]

Ионы проникают в кристалл, существенно не изменяя своего первоначального движения. Ионное внедрение не является равновесным процессом: движение ионов в кристалле определяется их энергией, а не растворимостью при высокой температуре. Поэтому могут быть превышены предельные концентрации, определяемые растворимостью примесных атомов в твердой фазе. Глубина внедрения ионов зависит от их энергии и легко регулируется изменением ускоряющего напряжения. [54]

Методы сублимации - конденсации имеют ограниченное применение, поскольку довольно мало таких веществ, у которых упругость пара была бы достаточно высокой для роста. Вообще говоря, можно вводить дополнительные компоненты, связывающие нелетучие соединения в летучие комплексы; в этом случае рост осуществляется в процессе реакции. Ионное внедрение, строго говоря, нельзя считать методом выращивания. [55]

Рассмотрим процесс создания структуры микросхемы, содержащей транзисторы с индуцированными и встроенными каналами. Границы 12 разделительных слоев / / ( рис. 4.2, в) образуют так называемые окна, определяющие места расположения будущих транзисторов. Ионным внедрением бора получают слой 10 с повышенной по отношению к подложке концентрацией акцепторов. [56]

Страницы: 1 2 3 4