Ионное внедрение
Cтраница 2
Для синтеза тонких слоев химических соединений вблизи поверхности твердого тела иногда используют метод ионного внедрения одного из компонентов соединения с последующей кристаллизацией в процессе эпитаксиального отжига. Примерами служат образование слоя A1N на поверхности ос - А12О3 после имплантации азота или Si3N4 на поверхности Si. [16]
Другой интенсивно развивающийся в настоящее время метод изготовления высокоомных резисторов заключается в использовании ионного внедрения. Заданная точность воспроизведения номинала резистора обеспечивается при использовании ионного внедрения легче, чем точность диффузионных резисторов. [17]
Указанный эффект, называемый эффектом каналирования, полезен тем, что - позволяет осуществлять ионное внедрение на заданную глубину при более низких энергиях и с малой степенью разупорядоченности структуры. Однако для того, чтобы основная масса ионов каналировалась, необходимо ориентировать подложку относительно ионного пучка с точностью 0 1, что в производственных условиях весьма сложно. [18]
Возможности широкого применения МДП транзисторов с каналом n - типа обеспечиваются благодаря использованию технологии ионного внедрения. При малых концентрациях примесей и использовании поликристаллических затворов резко снижаются пороговые напряжения. Это повышает быстродействие, снижает потребляемую мощность и обеспечивает простое сопряжение с биполярными транзисторами. Методом ионного внедрения можно получать области с повышенными концентрациями примеси, что позволяет переводить транзисторы на работу в режиме обеднения. Таким способом удается дополнительно повысить быстродействие n - канальных транзисторов и увеличить помехоустойчивость ИС. [19]
В исходном состоянии примесь находится в тонком приповерхностном слое полупроводника и вводится либо методом ионного внедрения, либо путем мелкой диффузии. [20]
С помощью второй фотолитографии в окна, предназначенные для транзисторов со встроенным каналом, производят ионное внедрение доноров ( фосфора) В соответствующих слоях 10 происходит перекомпенсация акцепторов донорами и их проводимость изменяется с дырочной на электронную - образуются встроенные каналы. Далее формируют подзатворный диоксид кремния 9 ( рис. 4.2, г), наносят на него слой поликремния и с помощью третьей фотолитографии получают рисунок затворов и поликремниевых проводников. [21]
Двухпролетные диоды Х - диапазона смешанного ( IMPATT и TRAPATT) типа, изготовленные методом ионного внедрения. [22]
Формирование р-п переходов принципиально возможно двумя методами: введением примесей в полупроводниковую подложку ( диффузией или ионным внедрением) и наращиванием на подложке дополнительного полупроводникового слоя с необходимым распределением примесей. Метод наращивания материала на монокристаллической подложке называется эпитаксиальным наращиванием, если в создаваемом слое воспроизводится монокристаллическая структура, повторяющая структуру исходной подложки. Ориентированное наращивание материала на монокристалл того же вещества называется ав-тоэпитаксией. [23]
Успешно осваивается метод получения р-п переходов путем легирования полупроводника необходимой примесью с помощью ионного пучка - метод ионного внедрения. [24]
Проблема уменьшения встроенных емкостей, образующихся вследствие частичного перекрытия затвором областей истока и стока, решена путем использования ионного внедрения и формирования самосовмещающегося затвора. Последовательность операций изготовления в этом случае является следующей: / - формирование тонкого окисла под затвором; 2 - наращивание поликристаллического кремния - затвора; 3 - формирование окон для участков истока и стока; 4 - ионное внедрение примеси р-ти-па; 5 - выращивание толстого окисла; 6 - фотолитография окон под контактные площадки; 7 - осаждение металлической пленки; 8 - фотолитография контактов и соединительных проводников. Благодаря использованию ионного внедрения вместо диффузии примеси не попадают иод защитный слой затвора, в результате чего устраняется перекрытие затвором областей истока и стока. [25]
Отжиг радиационных дефектов происходит при различных температурах в зависимости от того, образовался или нет аморфный слой в процессе ионного внедрения. Рекристаллизация аморфизованного слоя в германии происходит при температуре 400 - 500 С, в кремнии - при 600 - 700 С. [27]
Для подавления твердых ЦМД ( см. § 1.10) принимают специальные технологические меры, направленные на создание определенной структуры доменной стенки: ионное внедрение или покрытие поверхности пленки феррита-граната тонкой пленкой пермаллоя. Наиболее простым способом подавления твердых ЦМД является отжиг пленок в инертной среде при 1100 С. [28]
В настоящее время р - n - переходы большой площади можно изготавливать различными методами, включая сплавление, диффузию, эпитаксиальное выращивание и ионное внедрение. [29]
Для изготовления переходов полупроводниковых приборов используются следующие основные технологические методы: вытягивания из расплава, электрохимические, электроформовки, сплавления, диффузии и ионного внедрения примесей. Первые три метода в настоящее время практически не применяются. [30]
Страницы: 1 2 3 4