Ионное внедрение

Cтраница 3

В карбиде кремния вакансии кремния и углерода имеют различную подвижность: если первые весьма подвижны и легко обмениваются местами с примесными атомами в процессе ионного внедрения, то вторые практически полностью закреплены. Это обусловливает трудности активации примесных ионов, внедренных в углеродные поверхности кристалла. Для отжига радиационных нарушений в SiC требуется высокая температура. Обычно она составляет 1400 - 1600 С, хотя большая часть дефектов отжигается уже при 550 С. [31]

В книге рассматриваются физико-химические основы типовых процессов производства интегральных микросхем: термовакуумного испарения, катодного распыления, химических и электрохимических методов получения слоев, диффузии, эпитаксии, ионного внедрения и фотолитографии. Описываются технологии изготовления интегральных гибридных пленочных и интегральных полупроводниковых микросхем, а также применяемое оборудование. [32]

Частицы и излучения могут приводить к химическим и ядерным реакциям ( включая реакции деления) в материале тел, а также появлению в структуре материалов самих бомбардирующих частиц ( ионное внедрение), что вызывает появление примесей в материале, и являются второй причиной возникновения радиационных дефектов. [33]

Защитные покрытия могут выполнять и другие, более активные функции, являясь легирующей средой, диэлектриком в конденсаторе, изолятором элементов ИМС, диэлектриком затвора в МДП-приборах и схемах, маской при локализации введения примесей методом диффузии или ионного внедрения. Такое многообразие функций защитных покрытий предъявляет к ним требования, реализация которых обеспечивается совершенством технологии их получения. [34]

Ионное внедрение ( имплантация) применяется для создания таких - структур, для получения которых применялись ранее только методы диффузии и эпитаксии. [35]

Характеристики МДП транзистора со встроенным каналом. [36]

При необходимости изготовления резисторов с номинальными значениями несколько мегаом используются специальные режимы. Применяя методы ионного внедрения и нитридного маскирования, получают ре-зистивные слои с удельным сопротивлением до 120 кОм / квадрат. [37]

Скорость наращивания поликремния и эффект одновременного введения примесей бора и фосфора. 2 -нелегированный. 2 - 1 Ы0 - 4 % В2Нв. 3 - 5 5 - 10 - 5 % В2Н6. 4 - 1 1 - 10 - 5 % В2Н6. 5 - 5 5 - 10 - 6 % В2Н6. 6 - 1 - Ю-4 РН3. 7 - расчетные значения. [38]

При легировании примесью, проводимом одновременно с наращиванием слоя, удельное сопротивление слоя поликристаллического кремния зависит от температуры процесса. В современной технологии широко применяется ионное внедрение и термическая диффузия примеси, осуществляемые после наращивания слоя поликристаллического кремния. [39]

Другой способ контролируемого введения примесных атомов в кремний основан на так называемом ионном легировании. По сравнению с диффузией метод ионного внедрения имеет ряд преимуществ, которыми определяется его широкое практическое применение. Кроме того, концентрация примесных атомов при ионном легировании не ограничивается предельной растворимостью, как при диффузии. Недостаток метода ионного легирования заключается в относительно неглубоком ( менее 1 мкм) проникновении атомов основных легирующих элементов внутрь полупроводника. Поэтому ионное легирование обычно используют в сочетании с диффузионными методами. [40]

В транзисторе с индуцированным каналом р-типа, созданном на подложке л-типа, положительный поверхностный заряд увеличивает абсолютное значение порогового напряжения, в связи с чем возникает задача его уменьшения. Для этого в слой 6 проводят ионное внедрение акцепторов с малой дозой Nn. [41]

Другой интенсивно развивающийся в настоящее время метод изготовления высокоомных резисторов заключается в использовании ионного внедрения. Заданная точность воспроизведения номинала резистора обеспечивается при использовании ионного внедрения легче, чем точность диффузионных резисторов. [42]

Элементы, изготовленные по технологии Изопланар-2, характеризуются самой малой площадью и высоким быстродействием. При формировании структуры И2Л - эле-мента типа Изопланар-2 используется ионное внедрение ( имплантация) легирующей примеси. [43]

Ширина соединительного проводника при этом будет уменьшена до 1 мкм, области ионного внедрения - до 0 5 мкм, длина канала - до 0 2 - 0 5 мкм, а толщина тонкого окисла - до 0 02 мкм. [44]

Распространение света в световоде, 322. [45]

Страницы: 1 2 3 4