Температура - диффузия
Cтраница 2
Полупроводниковые соединения обычно имеют высокое давление пара легколетучего компонента при температурах диффузии, поэтому методами селективной эпитаксии из них можно получать многослойные структуры необходимой конфигурации с заранее определенными свойствами. [16]
 |
Схема изготовления пленарного диода. [17] |
Пленарная технология на германии проводится так же, за исключением того, что температура диффузии ниже ( 700 - 800 С), а плевка двуокиси кремния на поверхности, естественно, не может быть получена окислением германия. Пленку осаждают на поверхность германия термическим разложением кремнийорганяче-ского соединения - этилсиликата в смеси с аргоном при температуре 610 - 615 С. Планарная технология в настоящее время является основой универсальной технологии, позволяющей на имеющемся оборудования при незначительной его переделке выпускать целую гамму приборов различного назначения. Иногда полупроводниковые приборы изготовляют, применяя метод диффузии по планарной технологии, но невыпрямляющие контакты выводят на две противоположные плоскости, что облегчает сборку этих структур в корпус. [18]
В качестве планарного источника для диффузии фосфора используют композицию SiP2O7, разлагающуюся при температуре диффузии с выделением Р2О5 и инертной тугоплавкой связки. [19]
Для повышения механических свойств хромированных деталей их подвергают термической обработке; иногда ее совмещают с охлаждением от температуры диффузии хрома. [20]
 |
Диаграмма состояния Fe-Oz. [21] |
Как указывалось, строение диффузионного слоя соответствует изотермическим разрезам соответствующей диаграммы состояния ( рис. 334) при температуре диффузии. [22]
 |
Диаграмма состояния железо - кислород.| Скорость окисления железа R зависимости от температуры ( В. И. Архаров. [23] |
Как указывалось, строение слоя находится в соответствии с изотермическим разрезом соответствующей диаграммы состояния ( рис. 301) при температуре диффузии. [24]
 |
Схема установки для проведения диффузии в токе газа. [25] |
Этот способ для диффузии атомов примеси в германии неприменим, так как германий в присутствии даже незначительного количества воздуха при температуре диффузии порядка 900 С очень сильно окисляется. Для диффузии атомов примеси в германий применяют другой способ. [26]
Процессы диффузии и сплавления на германии никогда не ведутся на открытом воздухе, так как германий сильно окисляется на воздухе при температуре диффузии и практически переходит в двуокись германия. Поэтому для получения р-п переходов и невыпрямляющих контактов на германии используют, как правило, термическое оборудование с восстановительной атмосферой. [27]
Как было показано [14], в случае диффузии в соединение, для которого давление паров одного из компонентов имеет заметную величину при температуре диффузии, положение значительно осложняется. [28]
Для осуществления вакуум-диффузионного метода необходимо наличие вакуумной печи и металлизатора, содержащего покрывающий элемент, упругость пара которого должна быть соизмерима при температурах диффузии с разрежением вакуумной печи. Например, упругость гтара хрома при температуре выше 1000 С составляет 1 33 - 0 133 Па. Преимуществом этого метода является то, что металлизатор может не соприкасаться с покрываемой деталью, что исключает припекан ие его к детали. [29]
Детали помещают в порошок, состоящий из смеси металла покрытия и галогенида аммония ( NHiCl, NH4Br, NHJ), затем нагревают до температуры диффузии в газонепроницаемой камере. Для получения диффузионных покрытий проводят химико-термическую обработку ( ХТО) материалов, которая изменяет их механические свойства. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5