Температура - кристалл
Cтраница 1
Температуры кристалла в точках зондирования практически не отличаются вследствие высокой теплопроводности кремния. [2]
Температура кристалла, при которой происходит выключение ИС, составляет 165 10 С. [3]
Температура кристалла и защитного покрытия при сварке не должна превышать 125 С. Протекание через стабилитрон тока при сварке не допускается. [4]
Температура кристалла и защитного покрытия при сварке не должна превышать 85 С. [5]
Температура кристалла и защитного покрытия при пайке не должна превышать 125 С. [6]
Температура плавлешш кристалла является той температурой, при которой кинетическая энергия составляющих его молекул ( или ионов) становится равной потенциальной энергии решетки, стремящейся удержать молекулы ( или ионы) в определенных фиксированных положениях решетки. Таким образом, удельная теплота плавления равна энергии, поглощенной при разрушении кристаллической решетки. [7]
 |
Элементарные ячейки кристалла К DP до и после перехода в сегнетоэлектрическое состояние ( я ( / - F4d2, / / - - - - - - Fdd2, полярная. [8] |
Температура Кюри кристаллов KDP равна - 151 С. Полярной осью является ось е тетрагонального кристалла. [9]
Повышение температуры кристалла усиливает генерацию неосновных носителей, поэтому увеличивается обратный ток, При увеличении обратного тока в свою очередь растет мощность, температура перехода еще более повышается, что в конечном счете приводит к разрушению р-п перехода и выходу прибора из строя. Этот вид пробоя, приводящий к разрушению прибора, является наиболее нежелательным. [10]
Повышение температуры кристалла приводит к увеличению амплитуды колебаний составляющих его частиц, к увеличению расстояния между узлами ( расширение тела при нагревании) и, следовательно, к ослаблению сил сцепления. От этого случаи оставления частицами своего узла становятся все более частыми, и при некоторой температуре, называемой точкой плавления, исчезает упорядоченность в размещении центров колебаний, решетка разрушается и кристалл плавится. [11]
Повышение температуры кристалла усиливает генерацию неосновных носителей, поэтому увеличивается обратный ток. При увеличении обратного тока в свою очередь растет мощность, температура перехода еще более повышается, что в конечном счете приводит к разрушению р-п перехода и выходу прибора из строя. Этот вид пробоя, приводящий к разрушению прибора, является наиболее нежелательным. [12]
При изменении температуры кристалла перемещаются точки пересечения эллипсоида вращения со сферой, что приводит к соответствующему изменению направления синхролиза. [13]
Отмеченные изменения температуры кристаллов в процессе растворения имеют также большое значение в калориметрии при установлении тепловых эффектов растворения. [14]
Для измерения температуры кристалла можно использовать термопару медь-константан, которую устанавливают на выходе холодной струи. Было бы идеальным разместить эту термопару на самом кристалле, но это не очень удобно, хотя измерения можно выполнить до проведения рентгеновского эксперимента и затем построить калибровочную кривую с учетом температурного перепада от кристалла до конца подводящей трубки с охлаждающей струей. На самом деле точная температура не имеет особого значения при структурном анализе; достаточно хорошую оценку температуры можно получить с помощью термопары, расположенной в охлаждающей струе. [15]
Страницы: 1 2 3 4