Температура - кристалл
Cтраница 2
 |
Атом кремния и че - тронов. Остальные десять электро-тыре его валентные связи нов вместе С ядром составляют. [16] |
При повышении температуры кристалла тепловые колебания решетки приводят к разрыву некоторых валентных связей. [17]
При повышении температуры кристалла его объем увеличивается. Пропорционально этому происходит увеличение как длины кристалла, так и постоянной его решетки. [18]
 |
Возникновение элек - Влен тем, что всякий разрыв валентной. [19] |
При повышении температуры кристалла тепловые колебания решетки приводят к разрыву некоторых валентных связей. [20]
Всякое изменение температуры кристалла приводит к изменению числа и размеров дефектов кристаллической решетки. В итоге прочность кристалла может как увеличиваться, так и уменьшаться. [21]
При повышении температуры кристалла термодинамически равновесные концентрации точечных дефектов ( вакансий и меж-узельных атомов) возрастают. Образование дефектов по Шотт-ки показывает, что в кристалле имеются некоторые источники вакансий. Наоборот, при понижении температуры часть дефектов исчезает на стоках. Природа этих источников и стоков выяснена сравнительно недавно. Благодаря наличию подобных внутренних источников время установления термического равновесия в системе кристалл - точечные дефекты сравнительно слабо зависит от геометрических размеров кристалла. Однако при быстром охлаждении, например при закалке жидким азотом, точечные дефекты не всегда успевают уйти в стоки и как бы замораживаются в кристаллической решетке. [22]
При изменении температуры кристалла, обладающего такой поляризованностыо Ps, изменяется и амплитуда теплового колебания атомов, а также благодаря тепловому расширению ( или сжатию) изменяются размеры кристаллов. Из-за перечисленных выше эффектов спонтанная поляризованность Р обычно зависит от температуры. В связи с этим изменяемая часть поляризован-ности, определяемая температурой, проявляется на поверхностях кристалла. [23]
При повышении температуры кристалла возрастают равновесные концентрации вакансий и межузельных атомов, а при понижении температуры часть дефектов исчезает на стоках. Роль таких стоков могут играть другие дефекты решетки, в частности дислокации. [24]
С понижением температуры кристаллов растворимость кислорода в кремнии уменьшается экспоненциально. [25]
При повышении температуры кристалла число разорванных валентных связей увеличивается и, следовательно, возрастает число пар электрон - дырка и уменьшается удельное сопротивление полупроводника. [26]
 |
Валентная структура атома германия ( а, возникновение свободного электрона и дырки в кристалле ( б и отражение этого процесса в энергетической диаграмме ( в. [27] |
С повышением температуры кристалла до значения, при котором энергия фонона оказывается достаточной для нарушения связи валентного электрона с атомами решетки, электрон освобождается от связей и становится свободным, имея возможность перемещаться между узлами решетки. [28]
Дополнительным преимуществом сниженной температуры кристалла является уменьшение вероятности его отказа. [29]
 |
Диаграмма энергетических уровней ионов хрома в рубине. [30] |
Страницы: 1 2 3 4