Температура - кристалл
Cтраница 3
При уменьшении температуры кристалла линии RI и R2 сужаются и перемещаются в более коротковолновую часть спектра. [31]
Повысим теперь температуру кристалла, не нарушая его изоляции. При этом один край кристалла зарядится положительно, а другой - отрицательно. [32]
После зажигания разряда температура кристалла увеличивается во времени и стремится к установившемуся значению ( примерно 70 С), а скорость нагревания кристалла монотонно падает от начального значения дв / dt и 1 К / с. Вследствие этого скорости изменения фазы из-за увеличения температуры и из-за уменьшения толщины со временем становятся равными ( при t 63 с происходит инверсия фазы интерферограммы), а затем основной вклад в изменение фазы вносит не нагревание кристалла, а уменьшение его толщины. [34]
В промежуточных точках температура кристалла в соответствии с (1.19) меняется по параболическому закону. Из (1.20) видно, что разность температур АТа между центром кристалла и его краем линейно зависит от полной тепловой мощности, выделяемой в кристалле. Для малых мощностей тепловыделения эта разность невелика, однако при больших мощностях ( 100 - 500 Вт) можег достигать Д7а 10 - 50 С. На рис. 1.21 иллюстрируются распределения температуры внутри кристалла вдоль радиуса для нескольких мощностей тепловыделения. [35]
Поэтому неоднородное изменение температуры кристалла вызовет деформацию, а последняя породит вторичную поляризацию пьезоэлектрич. [36]
По мере повышения температуры кристалла, сопровождающегося увеличением амплитуды колебаний структурных элементов решетки и возрастанием флуктуации, все большее число связей разрывается. Освобождающиеся в результате этого электроны становятся электронами проводимости. [37]
По мере повышения температуры кристалла возрастают флюктуации кинетической энергии поверхностных атомов и некоторые из них достигают значения, при котором любой поверхностный атом может оставить свой узел и переместиться в другую позицию на поверхности. Время от времени перед некоторым атомом второго слоя узлов решетки обнаруживается пустой узел в первом слое. В результате следующей, достаточно большой флюктуации атом из второго слоя может перескочить в первый, оставляя вакантным узел во втором. Дефект, который так образовался, будет свободно блуждать по кристаллу, и его соседи могут тогда перескакивать в пустой узел. Отметим, что те места, где на поверхность выходят дислокации или границы зерен, энергетически предпочтительнее для указанной последовательности событий. [38]
При внезапном понижении температуры кристалла дырки и дислоцированные атомы образуют своего рода пересыщенный раствор, который должен постепенно приближаться к новой точке насыщения путем рассмотренных выше процессов рекомбинации и диффузии. Эта картина должна быть, однако, дополнена в одном существенном отношении. Вместо того чтобы диффундировать наружу, лишние дырки могут коагулировать друг с другом, образуя микроскопические полости внутри кристалла со значительной внутренней поверхностью. Подобная коагуляция совершенно аналогична коагуляции атомов примеси, растворенной в данном кристалле при охлаждении последнего. Микроскопическиеполости, обусловленные коагуляцией дырок, становятся более устойчивыми, когда они заполняются растворенными в металле газами и уже не могут быть удалены последующей холодной обработкой. [39]
В качестве датчиков температуры кристалла силового ключа используются различные температурочувствительные элементы ( Temperature Sensor), сигнал от которых используется для прерывания сигналов управления, при превышении температурой допустимого значения. [40]
Обозначим через Т2 температуру кристалла ( например, вольфрама), который окружен газом ( например, гелием) с более низкой температурой 7Y Тогда газ даже за продолжительное время опыта обычно не принимает температуру кристалла, а сохраняет более низкую температуру Т, потому что поверхность кристалла почти всегда покрыта адсорбционным слоем. [41]
Число зарождающихся при температуре ACJ кристаллов аустенита возрастает с увеличением дисперсности перлита и скорости нагрева. [42]
Если, например, температура кристалла достаточно высока, а концентрация примеси не очень мала, то в течение времени жизни экситон много раз захватывается ловушками и освобождается из них. [43]
Однако при дальнейшем понижении температуры кристалла влияние электрических диполей оказывается сильнее разупорядочнвающего действия тепловой энергии. В результате при некоторой температуре вращение прекращается. Это приводит к изменению геометрии решетки, к исчезновению характерных для сферических частиц гексагональной или кубической плотнейшей упаковок. Например, кубическая решетка НС1 и НВг при сильном охлаждении переходит в ромбическую, что является следствием отличия геометрии этих молекул от шаровой. Даже такие высокосимметрические молекулы как СН4, которые упаковываются как шары в кубической гранецентрировашюй решетке, при очень низкой температуре образуют какую-то другую до сих пор не изученную структуру. [44]
В общем случае расчет температуры кристалла, зависящей от координаты и времени, сводится к решению системы нестационарных уравнений теплопроводности. [45]
Страницы: 1 2 3 4