Температура - кристалл
Cтраница 4
Рекомендуется эксплуатировать микросхемы при температуре кристалла ниже максимального значения, поскольку ее уменьшение позволяет увеличить срок службы микросхемы. [46]
 |
Дефекты в простом кубическом кристалле. [47] |
Равновесная концентрация дефектов определяется температурой кристалла. [48]
 |
Зависимость МПФ от пространственной частоты v для модуляторов титус ( а и фототитус ( б. [49] |
ДКДР равна 220 мкм, температура кристалла составляет - 53 С. [50]
Интенсивность полосы возрастает при понижении температуры кристалла и сравнима с интенсивностью антиферромагнитного резонанса. При повышении температуры интенсивность электрически-ди-польной полосы уменьшается. Так же как и линия антиферромагнитного резонанса, электрически-дипольная полоса исчезает при достижении температуры Нееля и разупорядочении магнитной структуры кристалла. [51]
Дальнейшее отнятие теплоты вызывает понижение температуры кристаллов, и фигуративная точка опускается. [52]
 |
Структура линии люминесценции 1064 15 нм перехода 4 / гз / 2 - 4 / и / 2 ( 5 / 2 - сильная линия, 4 / t - слабая линия. [53] |
Центр линии смещается при изменении температуры кристалла: при его нагреваним линия сдвигается в длинноволновую область спектра. В интересующем нас диапазоне температур ( 60 С) это смещение может быть хорошо аппроксимировано линейной функцией с наклоном прямой dK / dT 5 - 10 - 3 нм / град и положением центра при комнатной температуре ( 300 К), равным 1064 15 нм. [54]
Таким образом, с понижением температуры кристалла уменьшается вероятность попадания электрона с уровня возбуждения в зону проводимости при неизменном значении коэффициента поглощения в максимуме F-полосы. F-полосе может совсем прекратиться, хотя способность F центров поглгщать свет сохраняется неизменной. Такая интерпретация зависимости кривых спектрального распределения вспышечного действия видимого света от температуры кристалла подтверждается измерениями зависимости интенсивности вспышки от температуры кристалла Опыты проводились следующим образом. Кристалл № С был окрашен рентгеновыми лучами при комнатной температуре, после чего он был охлажден до те, пг-ратуры жидкого воздуха. [55]
На рис. 23.25 представлена зависимость температуры кристалла кремния полупроводниковой интегральной микросхемы от температуры и времени пайки. [56]
Об относительной активности судили по температуре кристалла, когда пучок атомарного водорода был направлен на первую или вторую грань. [57]
Страницы: 1 2 3 4