Температура - коллекторный переход
Cтраница 1
 |
Расчетные зависимости входного сопротивления от тока эмиттера и напряжения на коллекторе. [1] |
Температура коллекторного перехода является функцией электрического режима работы транзистора, следовательно, при ее измерении необходимо максимально ослабить влияние как коллекторного напряжения, так и эмиттерного тока на температурно-зависимый параметр. [2]
С ( температура коллекторного перехода несколько выше), имеет порядок долей и единиц микроампер. Это значение обратного тока указывается в справочниках. При повышении температуры обратный ток коллектора резко возрастает по экспоненциальному закону и одновременно смещается вверх семейство характеристик коллекторного тока. [3]
При увеличении температуры коллекторного перехода на каждые 10 нулевой ток возрастает в два раза. Однако для мощных триодов при обратном напряжении 12 - 30 в основную часть начального коллекторного тока составляет ток поверхностной утечки, который мало зависит от температуры перехода. [4]
При определении температуры коллекторного перехода по напряжению эмиттер - база исключается влияние объемного сопротивления коллектора. [5]
При увеличении температуры коллекторного перехода на каждые 10 нулевой ток возрастает в два раза. Однако для мощных триодов при обратном напряжении 12 - 30 в основную часть начального коллекторного тока составляет ток поверхностной утечки, который мало зависит от температуры перехода. [6]
 |
Способы соединения регулирующих транзисторов. [7] |
С повышением температуры коллекторного перехода транзистора Т ( рис. 9.7) возрастает обратный ( тепловой) ток коллектора / ко, направленный от базы к коллектору. При некотором значении тока нагрузки ток базы Т и ток эмиттера Т % в сумме станут равными нулю и нормальная работа схемы нарушится. [8]
Для определения температуры коллекторного перехода транзистора, работающего в непрерывном режиме, необходимо воспользоваться условиями эквивалентности (5.3), следующими из электротепловой аналогии. [9]
Взаимное влияние температуры коллекторного перехода транзистора и режима его работы обусловливает тепловую положительную обратную связь, глубина которой существенно зависит от стабилизации рабочей точки. [10]
Здесь Т - температура коллекторного перехода транзистора; Т0 - температура окружающей среды; RT - тепловое сопротивление транзистора, определяющее передачу тепла от коллекторного перехода к корпусу транзистора и зависящее от теплопроводности материалов, из которых изготовлен транзистор, и его конструкции; RTO - тепловое сопротивление теплоотвода, определяющее передачу тепла от корпуса транзистора в окружающую среду и зависящее от конструкции теплоотвода, теплопроводности материала, из которого он изготовлен, и качества теплового контакта корпуса транзистора с теплоотводом. [11]
Предлагаемый метод измерения температуры коллекторного перехода позволяет значительно снизить погрешность измерения, возникающую в результате неравномерного распределения тока по сечению внутри транзисторной структуры. В качестве температурно-за-висимого параметра используется вхБ - интегральное входное сопротивление транзистора в схеме с общей базой. [12]
Величина б сильно зависит от температуры коллекторного перехода и меняется от долей микроампера до десятка микроампер на 1 С. [13]
Первое из этих явлений связано с повышением температуры коллекторного перехода при увеличении рассеиваемой в нем мощности. [14]
Страницы: 1 2 3 4