Cтраница 3
К типу п-р - п относятся также германиевые транзисторы П8, П9, П9А, П10 и ПИ ( рис. 6.306), которые могут работать при температурах коллекторного перехода до 100 С. [31]
Если же сопротивление нагрузки триода постоянному току мало ( в цепь коллектора включена, например, первичная обмотка трансформатора), то значительное увеличение коллекторного тока при повышении температуры ( точки В0, В 0) еще более повысит температуру коллекторного перехода, что, в свою очередь, приведет к росту тока; лавинообразный процесс может закончиться выходом триода из строя. [32]
Постоянная составляющая тока коллектора / к зависит от тока смещения базы / б, существенной компонентой которого является обратный ток коллекторного перехода / ко - Величина этого тока мало зависит от напряжения на коллекторе, однако сильно различается у транзисторов даже одного и тего же типа; вместе с тем величина / ко при изменении температуры коллекторного перехода изменяется по экспоненциальному закону: при повышении температуры на каждые 10 град ток / Ко германиевого транзистора увеличивается примерно в 1 5 - 2 раза, а кремниевого - в 2 5 - 3 раза. [33]
Тепловая х арактериотшк а рис. 5.18 представляет собой зависимость максимальной мощности, рассеиваемой транзистором, от температуры окружающей среды. Температура Коллекторного перехода в любой точке характеристики равна предельно допустимой величине tn макс. [34]
Тепловая характеристика транзистора с радиатором ( рис. 4.17) представляет собой зависимость мощности, рассеиваемой транзистором, от температуры окружающей среды. Температура коллекторного перехода в любой точке характеристики равна предельно допустимой величине. [35]
Обратный ток коллектора для маломощных транзисторов, измеренный при температуре окружающей среды. С ( температура коллекторного перехода несколько выше), имеет порядок долей и единиц микроампер. Это значение обратного тока указывается в справочниках. При повышении температуры обратный ток коллектора резко возрастает по экспоненциальному закону и-одновременно смещается вверх семейство характеристик коллекторного тока. [36]
Температура корпуса tK и мощность Рк, рассеиваемая транзистором, измеряются указанными выше способами. Для определения температуры коллекторного перехода транзистора / п пользуются косвенными способами измерения. [37]
Для триодов типов П1 и П2 коэффициент температурного перепада не превышает 0 1, а для триода типа ПЗ он еще меньше. Допу -, стимая температура коллекторного перехода этих приборов равна примерно 70 С. [38]
Тепловые характеристики полупроводникового триода тесно связаны с изменением его параметров в зависимости от температуры. Из тепловых характеристик обычно приводятся минимальная и максимальная температуры коллекторного перехода. [39]
С повышением температуры окружающей среды увеличивается нагрев прибора. Таким образом, предельную мощность рассеяния на коллекторе, при которой температура коллекторного перехода не превышает допустимую температуру, следует находить исходя из заданной максимальной температуры окружающей среды. Для увеличения мощности Рк юп необходимо улучшить теплоотдачу, что достигается применением радиаторов. [40]
При определении диапазона изменения температуры необходимо не только исходить из изменений температуры окружающей среды, но и учитывать повышение температуры коллекторного перехода, обусловленное рассеиваемой в кристалле мощностью. В ряде случаев выбор транзистора обусловлен рассеиваемой на коллекторе мощностью, величина которой ограничивается максимально допустимой температурой перехода. [41]
При отсутствии специальных соображений следует выбрать то положение рабочей точки, которое рекомендуется в справочнике. Отклониться от рекомендованного режима целесообразно, например, в случае повышенных требований к экономичности питания или когда необходимо уменьшить рассеиваемую на коллекторе мощность для снижения температуры коллекторного перехода с целью увеличить надежность работы усилителя. [42]
При отсутствии специальных соображений следует выбрать положение рабочей точки, рекомендуемое в справочнике. Отклониться от рекомендованного режима целесообразно, например, в случае повышенных требований к экономичности питания или когда необходимо уменьшить рассеиваемую на коллекторе мощность для снижения температуры коллекторного перехода с целью увеличить надежность работы усилителя. [43]
Определение темплоемкостей участков коллекторный переход - корпус транзистора Стпк и корпус транзистора - внешняя среда Сткс производится путем измерения тепловых постоянных этих же участков тпк и ткс. Для определения тепловых постоянных времени тш и ткс снимают осциллограмму изменения тем-пературнозависимого параметра во времени с момента подачи на транзистор питающих напряжений. Последняя снимается при двух различных значениях времени развертки осциллографа, соответствующих длительностям быстрого тпк и медленного ткс переходного теплового процесса. Затем, зная временную и температурную зависимости этого параметра, можно построить график зависимости температуры коллекторного перехода транзистора от времени и по нему определить тепловые постоянные времени тпк и ткс. [44]
Для определения допустимого температурного режима работы любого триода важное значение имеет удельный температурный перепад между корпусом и коллектором триода, выражаемый в градусах Цельсия на 1 мет мощности, рассеиваемой коллектором. Физически удельный температурный перепад характеризует так называемое тепловое сопротивление триода. Так, например, при допустимей мощности, рассеиваемой коллектором триода типа П6, равной 150 мет, и удельном температурном перепаде Мп - 0 5 С / мвт перепад между температурой корпуса триода и температурой коллекторного перехода равен 150 - 0 5 75 С. [45]