Cтраница 4
Использование в качестве термочувствительного параметра прямого падения напряжения на переходе эмиттер - база ( t / эб) целесообразно для измерения температуры р-п перехода германиевых и кремниевых сплавных и диффузионных приборов в широком диапазоне температур. Нижняя температурная граница измерения близка к абсолютному нулю. Верхняя граница достигает предельной рабочей температуры конкретного образца полупроводникового прибора. Напряжение эмиттер - база определяется на эмиттерном переходе, и при равномерном распределении тока по площади эмиттера это напряжение определяет усредненную температуру по толщине базы. При тонких базах можно считать, что температура базы равна температуре коллекторного перехода. Эб может дать большую погрешность. [46]
В транзисторах средней и большой мощности обычно имеется электрический контакт коллектора с корпусом. Такие транзисторы работают со специальным теплоотводящим устройством, и в справочниках для них приводится значение теплового сопротивления переход - корпус. При конструировании аппаратуры необходимо свести к минимуму тепловое сопротивление корпус - внешняя среда. Широкое распространение получил метод крепления транзисторов на специальных радиаторах, осуществляющих теплообмен с воздухом. Наиболее распространены пластинчатые, односторонние ребристые и двусторонние ребристые радиаторы. Они должны рассчитываться так, чтобы их тепловое сопротивление обеспечивало интенсивный теплоотвод от корпуса транзистора, а температура коллекторного перехода не превышала предельную. И злучательную поверхность радиатора можно улучшить анодированием ( чернением), что особенно важно при работе в условиях пониженного атмосферного давления. Во многих случаях радиатором может служить металлическое шасси прибора. При этом корпус транзистора крепится к шасси через изолирующие прокладки. Применяя слюдяные прокладки, можно получить величину RtK т порядка 1 7 - 3 0 град / em, причем основная часть теплового сопротивления в этом случае обусловлена воздушными зазорами. [47]