Cтраница 2
Формула ( 5) дает возможность рассчитать температуру коллекторного перехода яри заданных Рк н Токр. [16]
При измерении температуры по / ( бо контроль температуры коллекторного перехода можно осуществлять с точностью 2 С при условии предварительной температурной градуировки индивидуально каждого образца. [17]
Кб и 1 / Эб позволяют осуществлять контроль температуры коллекторного перехода практически всех выпускаемых нашей промышленностью транзисторов разных типов и технологии. [18]
Из выражения (5.62) видно, что для уменьшения температуры коллекторного перехода желательно, чтобы каждое из этих сопротивлений было возможно малым. [19]
![]() |
Блок-схема для измерения пробивного напряжения.| Блок-схема установки для измерения теплового сопротивления. [20] |
Это явление может быть использовано для измерения изменения температуры коллекторного перехода кремниевых транзисторов. Подобное явление наблюдается и у германиевых транзисторов и используется для той же цели. [21]
![]() |
Зависимость температуры коллекторного перехода от мощности рассеяния для транзисторов малой мощности. [22] |
На рис. 3 и 4 приведены экспериментальные данные измерения температуры коллекторного перехода по ВХБ в зависимости от разогревающей мощности для маломощных и мощных транзисторов соответственно. [23]
Напомним, что величина / ко очень сильно зависит от температуры коллекторного перехода, что весьма отрицательно влияет на стабильность характеристик транзистора. [24]
Формулы табл. 2.6 выражают параметры схемы замещения через токи эмиттера, напряжение на коллекторе и температуру коллекторного перехода. Зависимость эта может быть различной. Абсолютное значение параметра рассчитать трудно, так как геометрические данные транзистора w и Ак и параметры исходного полупроводника рб. [25]
Точка пересечения обеих кривых укажет на величину тока коллектора / к / кь при котором устанавливается температура коллекторного перехода, равная Т - Тыакс. Но температура перехода Гмакс допустима и известна по паспортным данным. [26]
Точка пересечения обеих кривых укажет на Величину тока коллектора / к / кь при котором устанавливается температура коллекторного перехода, равная ТТтакс. Гмакс допустима и известна по паспортным данным. [27]
Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторном переходе, / -, max - Это мощность, при которой температура коллекторного перехода не превышает максимально допустимую. [28]
Метод применим для транзисторов с тонкой базой; в этом случае можно считать, что температура базовой области равна температуре коллекторного перехода. [29]
![]() |
Плоскостные транзисторы. [30] |