Электронная температура

Cтраница 2

Электронную температуру имеет смысл вводить в тех случаях, когда функция распределения электронов по скоростям максвелловская. Это имеет место в случае, когда частота столкновения электронов друг с другом достаточно велика. [16]

Схема измерения электрическим зондом концентрации и температуры электронов в газовом разряде. [17]

Электронную температуру можно определить по ходу вольт-амперной характеристики в области, где зонд по отношению к плазме имеет отрицательный потенциал. [18]

Излучение линии Н157а, наблюдаемой в трех направлениях в плоскости Галактики, свободных от дискретных источников ( вверху и линия HI A 21 см в тех же направлениях ( внизу ( рисунок из. Готтесман и Гордон ( 1970. [19]

Электронную температуру диффузного компонента из первых наблюдений РРЛ расчитать было невозможно. Были неизвестны также коэффициенты отклонения от ЛТР. [20]

Пусть электронная температура зависит от координат, тогдаVft Te4n, E - [ ueH ] / c - - ( Te / e) Vlnn. [21]

К начальная электронная температура составляет лишь 10 000 К. Далее будет предложен метод расчета температур поступательных степеней свободы компонент в реагирующей смеси газов. [22]

Измерения электронной температуры и плотности плазмы путем анализа непрерывного спектра удается выполнить лишь в определенной области значений ве и Те, Редкая плазма излучает слишком мало света, чтобы измерения спектральной плотности в абсолютных единицах могли быть выполнены с необходимой точностью. При высокой плотности следует учитывать возможность самопоглощения. Имеющиеся экспериментальные данные показывают, что легко определяются значения пе в интервале 1015 - 1018 CM-S. Вряд ли можно надеяться на получение удовлетворительных результатов, если величина пе лежит ниже, чем 1013 сж-3. Область электронных температур в сотни и тысячи электрон-вольт хорошо поддается анализу. [23]

Вольтампетрные характеристики плоского магнетрона. Здесь кривая 1 соответствует Qs 150, 2 - Qs 200, 3 - Qs 250, 4 - Qs 300. Кружки соответствуют экспериментальным данным. [24]

Распределение электронной температуры Те зависит от геометрических и электрических параметров пространства взаимодействия, а также характеристик эмиттера. Во многих случаях температура монотонно нарастает в направлении от катода к аноду, причем вблизи анода имеется область более быстрого роста Те. В других случаях максимум температуры достигается внутри облака. Очевидно, что максимум температуры соответствует тем частям облака, где движение электронов наиболее нерегулярно. Обычно величина Те в генерирующем магнетроне составляет несколько миллионов градусов. [25]

Значение электронной температуры, полученное в условиях воздушной атмосферы, составляло 6300 - 6400 К. [26]

Определение электронной температуры по интенсивности терми - iccKoro излучения плазмы. Спектр излучения, испускаемого в свободное пространство совершенно непрозрачным, полностью погло-дающим телом, определяется температурой этого тела. [27]

Схема микроволнового моста, балансного смесителя и синхронного детектора, используемая для измерения электронной температуры. [28]

Измерение стационарной электронной температуры производится следующим образом. Включают шумовой эталон А и балансируют мост с помощью балансирующего аттенюатора. Затем включают шумовой эталон В и вновь балансируют мост с помощью калиброванного аттенюатора. [29]

Вычислите электронную температуру и отсюда оцените относительную вероятность того, что кинетическая энергия электрона достаточна, чтобы ионизовать путем столкновения а) атом натрия и б) атом неона. [30]

Страницы: 1 2 3 4