Cтраница 3
При электронной температуре около 15 - Ю6 водородная плазма имеет такую же электропроводность, как у обыкновенной меди при комнатной температуре. [31]
Радиальное распределение электронной температуры тщательно изучалось как на установке Т-3, так и на установке ST. [32]
С уменьшением электронной температуры интенсивность линий основного компонента уменьшается более резко, чем интенсивность линий примеси. [33]
При вычислении электронной температуры с помощью выражения для необходимо учесть изменение свойств плазмы во фронте ударной волны. [34]
![]() |
Виешшш вид установки для непрерывного контроля содержания азота в аргоне ( газоанализатор СФ-4102 конструкции СКВ аналитического приборостроения. [35] |
Сильная зависимость электронной температуры и концентрации электронов в тлеющем разряде от состава газа приводит, как мы уже говорили, к очень большому влиянию третьего компонента. Интенсивности линий определяемого газа настолько значительно искажаются влиянием примесей, что делают непосредственный анализ невозможным. Особенно сильно это влияние сказывается тогда, когда мешающая примесь имеет меньший потенциал ионизации, чем основной газ. [36]
С повышением электронной температуры начинают преобладать два механизма, особенно эффективных в рассеянии импульсов: эмиссия оптических фононов и ударная ионизация добавочных носителей заряда. [37]
Правильные значения электронной температуры областей НИ могут быть получены по наблюдениям РРЛ в среднем частотном диапазоне. В результате наблюдаемое значение L / C оказывается очень близким к значению при ЛТР. Учитывая неоднородную плотность областей НИ, наиболее точные измерения Те могут обеспечить наблюдения РРЛ на частотах 20 100 ГГц. [38]
Коррекция приближает электронную температуру для НП-областей, получаемую по РРЛ, к каноническому значению 10 000 К, определенному по линиям излучения в оптике. Однако вместо использования РРЛ для точного определения температуры НП-областей, Гольдберг предложил сохранить принятые астрономами 10 000 К, а с помощью РРЛ определелять коэффициенты отклонения и через них - коэффициенты термодинамического состояния газа. [39]
![]() |
Доля электронов, обладающих энергиями, достаточными для возбуждения атомов.| Функции возбуждения, при изменении условий. [40] |
Энергия электронов - электронная температура - весьма сложным образом зависит от условий разряда и от природы газа, поэтому и интенсивность спектральных линий весьма сложно изменяется разряда. [41]
В положительном столбе электронная температура в зависимости от условий разряда и рода газа может достигать десятков и сотен тысяч градусов, тогда как температура ионов не превышает 1500 - 2000 К, а средняя температура газа порядка 500 - 1000 К. [42]
![]() |
Зависимость концентрации возбужденных атомов ртути на уровне 3Р2 от давления. [43] |
Оно объясняется падением электронной температуры. [44]
Здесь она значительно выше электронной температуры. Большое сечение кулоновских столкновений и сильное сжатие плазмы приводят к тому, что температуры Т и Те начинают стремительно сближаться, вследствие передачи энергии при упругих столкновениях атомов и ионов с электронами. Обмен энергией между ионами и электронами приводит к тому, что их температуры выравниваются. Необходимо отметить, что доля энергии лазерного излучения, поглощенная в зоне прогрева, должна быть такой, чтобы можно было считать эту зону прозрачной для лазерного излучения. В описанном выше численном расчете поглощение в зоне прогрева составляет около 5 % от полного потока излучения. [45]