Полупроводниковый тензорезистор

Cтраница 2

Полупроводниковым тензорезисторам, технологии их изготовления, опыту эксплуатации, конструированию на их базе различного типа преобразователей, перспективам их использования и другим вопросам посвящена обширная периодическая и патентная литература. [16]

Вольт-амперная характеристика тензорезистора. [17]

Полупроводниковым тензорезистором называют преобразователь линейной деформации в изменение активного сопротивления, принцип действия которого основан на тензорезистивном эффекте, а чувствительный элемент его выполнен из полупроводника. [18]

Разработкой полупроводниковых тензорезисторов у нас в стране занимаются Новосибирский электротехнический институт, Московский энергетический институт ( МЭИ), Институт машиноведения ( ИМАШ), Львовский политехнический институт и некоторые другие организации. На рис. 5 схематично показано несколько типов полупроводниковых тензорезисторов. [19]

Недостатком полупроводниковых тензорезисторов является зависимость их коэффициента тензочувствительности от температуры. В работах [5, 52] приведены схемы линеаризации характеристик тензорезисторов. [20]

Недостатками полупроводниковых тензорезисторов являются нелинейность статической характеристики и зависимость результатов измерения от температуры. Для уменьшения температурных погрешностей применяют различные схемы термокомпенсации. [21]

Зависимость ОТНОСИТЕЛЬНОГО изменения сопротивления тензорезнстора, изготовленного на кремнии р-типа, от относительной деформации. [22]

Недостатками полупроводниковых тензорезисторов являются зависимость тензо-чувствительности от температуры и относительно большой температурный коэффициент сопротивления, без компенсации которого точность измерения статических деформаций снижается. [23]

Схемы включения тензорезисторов. [24]

Основа полупроводниковых тензорезисторов - кристалл кремния или германия. Знак тензоэффекта ( при растяжении) в полупроводниках н-типа проводимости отрицательный, а / - типа положительный. Проводимость / - т и па имеют гензорезисторы КГД. [25]

У полупроводниковых тензорезисторов нелинейность настолько велика, что она должна быть учтена наряду с нелинейностью моста; в совокупности нелинейность в целом уменьшается. [26]

Выбор полупроводникового тензорезистора определяется прежде всего задачей измерения. [27]

Схемы расположения на валу тензорезисторов при измерении крутящего момента ТР - тензорезисторы. ТС - токосъемное устройство. [28]

Применение высокочувствительных полупроводниковых тензорезисторов в некоторых случаях позволяет производить измерения без использования усилителей. [29]

У проволочных и полупроводниковых тензорезисторов начальное сопротивление Ro зависит от подводимой к тензорезистору электрической мощности ( ср. Кроме того, особенно у полупроводниковых тензорезисторов, происходит заметное изменение подводимой к тензорезистору электрической мощности вследствие сравнительно большого изменения сопротивления под воздействием механической нагрузки. Это изменение мощности зависит также от условий питания. [30]

Страницы: 1 2 3 4