Cтраница 3
Кремнистор - полупроводниковый тензорезистор на основе нитевидных монокристаллов кремния с величиной допустимой продольной деформации до 0 8 - 1 %; характеризуется очень высокой стабильностью: до 0 002 % на протяжении 2 лет. [31]
Для наклейки полупроводниковых тензорезисторов требуется связующее, обеспечивающее малую ползучесть и хорошую адгезию к металлической поверхности. С этой точки зрения подходящей является фенольная смола горячего отверждения, поскольку она, с ее высокой температурой отверждения, обеспечивает малую погрешность ползучести, которая в заданном рабочем температурном диапазоне от - 20 до 60 С почти не зависит от температуры. [32]
Принцип действия полупроводникового тензорезистора основан на тензорезистивном эффекте - на изменении электрического сопротивления полупроводника под действием механических деформаций. [33]
Основными свойствами полупроводниковых тензорезисторов в отличие от металлических проволочных и фольговых тензорезисторов являются малые размеры, очень высокие коэффициенты тензочувствительности ( на два порядка выше, чем у проволочных тензорезисторов), высокий уровень выходного сигнала измерительных схем. Важнейшая особенность полупроводниковых тензорезисторов - это возможность изготовления их с различными механическими и электрическими свойствами, что неосуществимо в проволочных тензорезисторах. [34]
Важнейшей особенностью полупроводниковых тензорезисторов является возможность изменения в широких пределах их механических и электрических свойств, что принципиально неосуществимо в проволочных и фольговых тензорезисторах. Например, при одних и тех же геометрических размерах сопротивление полупроводникового тензорезистора может лежать в пределах от десятков ом до десятков килоом, а коэффициент тензочувствительности - от - 100 до 200 и выше. [35]
Определенные недостатки полупроводниковых тензорезисторов связаны с зависимостью их сопротивления от температуры. На рис. 10.2 приведена зависимость относительного изменения сопротивления кремниевого тензорезистора от температуры. [36]
К недостаткам полупроводниковых тензорезисторов следует отнести их малую механическую прочность, высокую чувствительность к воздействию внешних условий и существенный разброс характеристик от образца к образцу. [37]
К недостаткам полупроводниковых тензорезисторов следует отнести их малуй механическую прочность, высокую чувствительность к воздействию внешних условий и существенный разброс характеристик от образца к образцу. [38]
Существенное преимущество полупроводниковых тензорезисторов состоит в их высоком коэффициенте К. [39]
Акселерометры на полупроводниковых тензорезисторах моделей BWH101 - BWH401 пригодны для измерения статических и динамических ускорений. Их особым преимуществом является возможность работы в частотном диапазоне от 0 Гц, в котором пьезоэлектрические акселерометры неработоспособны. Измерение статического ускорения ( 0 Гц) допускает исключительно простую и очень точную градуировку путем сравнения с ускорением силы тяжести ( см. разд. [40]
Учитывая высокую стоимость полупроводниковых тензорезисторов, их применение необходимо аргументировать в каждом конкретном случае проведения измерений. [41]
Температурная характеристика сопротивления полупроводниковых тензорезисторов зависит от легирования кристалла. Как показывают уравнения (6.12) и (6.13), кажущуюся продольную деформацию можно, кроме того, значительно уменьшить за счет согласования тепловых коэффициентов линейного расширения подложки и тензорезистора или учитывая тепловой коэффициент линейного расширения. [42]
В системах с полупроводниковыми тензорезисторами эти требования учтены и функциональные блоки поставляются в специальных корпусах. Для утопленного монтажа на щитах пригодны герметичные корпуса с высокой степенью защиты, в которых могут размещаться функциональные блоки с вдвижным исполнением. При особо тяжелых условиях эксплуатации важнейшие функциональные блоки размещают в литых корпусах со степенью защиты IP54, так что их можно монтировать непосредственно рядом с ИП. [43]
ИП давления с полупроводниковыми тензорезисторами серии DWH5 - DWH200 могут применяться для измерения как статических, так и динамических давлений. Главная их область применения - производственная измерительная техника. ИП давления помогают дистанционно измерять давления газов и жидкостей. Они используются для контроля и регулирования производственных процессов. Кроме того, ИП давления с полупроводниковыми тензорезисторами помогают решать различные проблемы измерения давлений, возникающие при научных исследованиях во многих областях техники. [44]
Для динамометров на полупроводниковых тензорезисторах характерно, что наличие поперечной составляющей силы практически не отражается на их показаниях. Но за счет температурных напряжений возможно возникновение настолько больших усилий, что они могут вызвать повреждение динамометра ( фиг. [45]