Полупроводниковый тензорезистор
Cтраница 4
ИП перемещения на полупроводниковых тензорезисторах являются преобразователями относительного перемещения. С их помощью возможны измерения перемещений, смещений и положения объекта в наиболее важном для техники диапазоне от нескольких микрон до 40 мм. [46]
ИГЛ перемещения на полупроводниковых тензорезисторах не являются прецизионными приборами по сравнению с измерительными инструментами микрометрического или рычажно-ме-ханического типа. Но в техническом отношении с этими ИП могут конкурировать только оптические. Более высокая цена полупроводниковых ИП компенсируется возможностью их использования в телеметрии, а также возможностями кодирования и преобразования в цифровую форму выходного сигнала. [47]
ИП перемещения на полупроводниковых тензорезисторах моделей WWH101, 201, 301, 401, 501 и 141 в комплекте с вторичными электронными приборами ( преимущественно на полупроводниках) служат для измерения линейных удлинений, перемещений и амплитуд колебаний малой частоты. [48]
Для динамометров на полупроводниковых тензорезисторах типа KVVH, как правило, необходимо питание порядка 4 В. [49]
В статье [65] описаны полупроводниковые тензорезисторы, представляющие собой металлическую пластинку в форме диска с керамической подложкой, на которую в вакууме напылены четыре кремниевых элемента, включенных по мостовой схеме. [51]
На бумагу пинцетом накладывают полупроводниковый тензорезистор, распрямляют его и слегка прижимают тампоном. [52]
В силу большой чувствительности полупроводниковых тензорезисторов ( К - 120) возможно использование выходного сигнала таких ИП без последующего усиления. [53]
Основным материалом для изготовления полупроводниковых тензорезисторов в настоящее время является кремний. Это объясняется не только тем, что кремний лучше других полупроводников удовлетворяет перечисленным требованиям для изготовления тензорезисторов, но и тем, что свойства кремния исследованы наиболее детально, налажена промышленная технология получения однородных монокристаллов кремния е малым числом дефектов, что, в свою очередь, позволяет выбирать материал с нужными параметрами и известиой температурной зависимостью удельного сопротивления, а также облегчает создание невыпрямляющих контактов. [54]
Основными материалами для изготовления полупроводниковых тензорезисторов в настоящее время являются кремний и германий. Это связано не только с тем, что кремний и германий лучше других полупроводников удовлетворяют перечисленным требованиям для изготовления тензорезисторов. В основном это объясняется тем, что свойства кремния и германия исследованы более детально, налажена промышленная технология получения однородных монокристаллических слитков с малым числом дефектов, что, в свою очередь, позволяет выбирать материал с нужными параметрами и известной температурной зависимостью удельного сопротивления, а также облегчает создание невыпрямляющих контактов. [55]
Несмотря на высокую чувствительность полупроводниковых тензорезисторов, их используют сравнительно редко ввиду нелинейности характеристики и трудностей компенсации различных тепловых эффектов. [56]
Страницы: 1 2 3 4