Теория - рекомбинация
Cтраница 1
 |
Энергетическая диаграмма полупроводника, содержащего центры рекомбинации ( а и центры прилипания ( б. [1] |
Теория рекомбинации через локальные уровни была разработана Холлом, Шокли и Ридом. [2]
Теория рекомбинации Холла-Шокли - Рида, основные положения которой были изложены в предыдущем разделе, дает зависимость времени жизни от уровня Ферми, который при малом уровне инжекции совпадает с равновесным. [3]
Теория рекомбинации зонных электрона и дырки с излучением была предложена Ван Русбреком и В. [4]
Теория рекомбинации через локальные уровни была разработана Холлом, Шокли и Ридом. [5]
Теория рекомбинации электронов и дырок в полупроводниках, развитая Шокли, Ридом и Холлом, объясняет, почему значения времени жизни, наблюдаемые в германии и кремнии, на несколько порядков меньше, чем следовало бы ожидать при непосредственной рекомбинации электронов и дырок. Принятая модель показана на фиг. Предполагается, что рекомбинация происходит при участии различного рода нарушений в кристалле. [6]
 |
Зависимость скорости ухода электронов из кулоновс-кой потенциальной ямы вблизи инжектирующего электрода, kK - OT напряженности приложенного электрического поля F. [7] |
Теория стационарной рекомбинации Онзагера [183, 184] была создана для получения стационарного решения задачи о движении пары противоположно заряженных частиц в непрерывной конденсированной среде в присутствии внешнего электрического поля. Тем не менее она широко и довольно успешно использовалась для интерпретации зависимости квантового выхода фотогенерации носителей заряда от электрического поля в кристаллах, где эти носители, несомненно, движутся в дискретной решетке [45] ( см. разд. [8]
Задачей теории рекомбинации является нахождение сечений парных процессов рекомбинации и ( или) коэффициента рекомбинации, характеризующего скорость гибели частиц определенного сорта. Например, коэффициент рекомбинации aet электронов с ионами сорта ( определяется таким образом, что величина a. [9]
В бесспиновой теории рекомбинации радикалов в жидкостях разработаны и применяются два метода расчета вероятности рекомбинации РП и нахождения константы скорости рекомбинации. Этот подход дает интегральный эффект всех контактов данной пары реагентов за время их пребывания в клетке. Когда появилась необходимость включить в теорию рекомбинации спиновые и магнитные эффекты, оба этих метода были соответствующим образом обобщены. Это повлекло за собой и существенное усложнение теории. [10]
Рассмотрим теорию рекомбинации через локальные центры захвата, которую разработали Шокли и Рид. [11]
Наконец, из теории рекомбинации следует, что при некоторой плотности тока вся поверхность электрода будет закрыта адсорбированным водородом, причем концентрация его достигнет предельно возможного значения. Эта концентрация очевидно должна зависеть от строения поверхности электрода. [12]
Наконец, из теории рекомбинации следует, что при некоторой плотности тока вся поверхность электрода будет закрыта адсорбированным водородом, причем концентрация его достигнет предельного возможного значения. Эта концентрация очевидно должна зависеть от строения поверхности электрода. [13]
В таком виде теорию замедленйой рекомбинации следует рассматривать как первое приближение к реально существующим соотношениям. Оно отвечает идеализированному случаю, когда поверхность катода энергетически однородна и между адсорбированными атомами водорода полностью отсутствуют силы взаимодействия. В реальных условиях выделения водорода эти допущения могут и не оправдываться, что должно изменять соотношения между потенциалом и плотностью тока. [14]
Построенная в этих предположениях теория рекомбинации отличается от обычной [15] только расшифровкой понятий эффективных сечепий захвата носителей заряда центром рекомбинаций. Однако в тех случаях, когда времена жизни носителей заряда на возбужденных уровнях центра не пренебрежимо малы по сравнению со средними временами теплового выброса или захвата центром носителя заряда противоположного типа, эта расшифровка соответствует появлению дополнительных членов в соотноше-вии для скорости рекомбинации. [15]
Страницы: 1 2 3 4