Планарная технология

Cтраница 1

Планарная технология является дальнейшим развитием диффузионной технологии и получила свое название потому, что р-п переходы диодных и транзисторных структур, изготовленных этим методом, и соответствующие контакты к эмиттеру, базе и коллектору выходят на одну ( верхнюю) плоскость ( план) исходного кристалла. [1]

Планарная технология - совокупность базовых технологических операций, которые позволяют получать плоские планарные структуры в полупроводниковом материале ( пластине) методом локальной диффузии или эпитаксии через защитный маскирующий слой, полученный фотолитографией. [2]

Этапы изготовления пленарных транзИ сторов. [3]

Планарная технология состоит из трех основных процессов: процесс диффузии, процесс выращивания о к и с-ных слоев и тесно связанный с ними процесс фотолитографии. [4]

Схема процесса диффузии в запаянной ампуле. [5]

Планарная технология основана на использовании оксидных масок для избирательной физико-химической обработки полупроводниковой подложки. Оксидная маска представляет собой слой двуокиси кремния SiO2, полученный термической пассивацией подложки из кремния. Установлено, что пленка двуокиси кремния толщиной 0 1 мк является заградительной маской для диффундирующей примеси. [6]

Изготовление р-п-пере-хода методом Планерной технологии. [7]

Планарная технология получила название от английского planar - плоский, так как границы всех p - n - переходов выходят на поверхность пластины и лежат в одной плоскости. [8]

Технологический процесс изготовления пленарного фототиристора. [9]

Планарная технология находит применение при изготовлении фототиристоров для слаботочных приборов. [10]

Планарная технология является технологией массового производства, обеспечивающей получение недорогих и высоконадежных приборов. [11]

Планарная технология, являясь в сущности групповой, позволяет одновременно обрабатывать на одной пластине сотни и тысячи структур приборов, автоматизировать технологические процессы и снижать трудоемкость изготовления приборов. [12]

Планарная технология может быть использована не только для изготовления кремниевых приборов. [13]

Планарная технология обеспечивает изготовление разнотипных элементов в полупроводниковой пластине с расположением их выводов в одной плоскости. Это позволяет выполнять межсоединения элементов в едином технологическом цикле с помощью металлических полосок. При разработке сложных ИС для обеспечения необходимых межсоединений иногда используют несколько слоев металлических пленок, разделенных между собой диэлектрическими слоями. [14]

Этапы процесса образования изолированной области гс-типа. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5