Cтраница 5
Одной из самых сложных проблем планарной технологии является изоляция одного прибора от другого на поверхности полупроводникового кристалла. Для этого предназначены карманы, изолированные от остального массива кристалла p - n - переходами. Эти переходы находятся постоянно под обратным напряжением и имеют очень большое сопротивление. В карманах при дальнейшей обработке образуются все элементы, составляющие микросхему. [61]
Окисные слои широко применяются в планарной технологии, играют большую роль в процессах литографии, совмещения, диффузии примеси в качестве маскирующих покрытий. Для функционирования МОП БИС необходим совершенный подза-творный окисел и в этом случае особенно требуется высокая стабильность окисла в течение длительного периода времени. В настоящем разделе рассматриваются, прежде всего, электрические свойства окисных слоев, далее их электрическая прочность, маскирующие свойства и прочее. [62]