Планарная технология

Cтраница 2

Планарная технология позволяет получать в подложке или в эпитаксиальном слое легированные области, измеряемые единицами микрометров. [16]

Структура точечного. [17]

Планарная технология дает возможность относительно просто сформировать на одном кристалле много диодных структур. [18]

Электроды мощных транзисторов. [19]

Планарная технология, позволяет создать мощные многоэмит-терные транзисторы. В таких транзисторах на поверхности базовой области создают много отделенных друг от друга эмиттерных областей в виде полос или окружностей. [20]

Планарная технология обеспечивает изготовление разнотипных элементов в полупроводниковой пластине с расположением их выводов в одной плоскости. Это позволяет выполнять межсоединения элементов в едином технологическом цикле с помощью металлических полосок. При разработке сложных ИС для обеспечения необходимых межсоединений иногда используют несколько слоев металлических пленок, разделенных между собой диэлектрическими слоями. [21]

Планарная технология сама по себе способна обеспечить понижение оптических и рекомбинационных потерь в приборах. Потери на нефо-тоактивность поглощения можно снизить с 15 - 20 до 10 %, если использовать достаточно чистый материал и более мелкое расположение р - - переходов. [22]

Различные этапы планарной технологии изготовления полупроводниковой микросхемы. [23]

Интегральная планарная технология обусловливает, в силу присущих ей особенностей, некоторые отличия свойств и характеристик интегральных радиоэлементов от соответствующих дискретных. Так, интегральный транзистор должен иметь выводы от всех электродов па одной стороне пластины. Реализация этого требования приводит к тому, что увеличивается протяженность пути коллекторного тока прибора и, как следствие, напряжение между коллектором и эмиттером в режиме насыщения. Кроме того, с лучшими свойствами получаются транзисторы n - p - л-типа, поэтому повсеместно в интегральных схемах используются только они. [24]

Схема изготовления пленарного диода. [25]

Планарную технологию можно применять также в сочетании с другими технологическими направлениями, что значительно упрощает решение многих технологических задач при использовании типового оборудования. [26]

По планарной технологии можно получать тиристоры путем двойной или тройной диффузии. [27]

При планарной технологии существенно улучшены параметры транзисторов, особенно их частотные характеристики. В то же время оптические методы, применяемые при фотолитографии, позволяют с большой точностью совмещать эти области. В результате оказалось возможным изготовление транзисторов с толщиной базы в доли микрона и размерами переходов в единицы микрон. Рабочие частоты планарных транзисторов дости - гают примерно 10 Ггц. [28]

По планарной технологии можно получать тиристоры путем двойной или тройной диффузии. [29]

При планарной технологии иногда сочетают эпитаксиальный метод наращивания тонких пленок с последующим методом диффузии. Затем в результате окисления этот слой покрывается тонкой пленкой двуокиси кремния 2, почти непроницаемой для атомов при диффузии. На следующем этапе обработки в окисной пленке с помощью фотолитографии и травления создается окно, через которое осуществляют диффузию акцепторов, что приводит к образованию в толще пластины базовой р-области 3 и коллекторного перехода. Затем наносится новая защитная пленка окиси кремния и осуществляется фотолитография с последующим травлением меньшего по размеру окна, в которое производят диффузию доноров. Это приводит к образованию эмиттерной - области 4 и эмиттерного перехода. Далее к соответствующим областям п-р - п структуры припаивают или приваривают выводы. Вывод коллектора осуществляют от основания низкоомной пластины, которую припаивают к герметичному корпусу. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5