Планарная технология
Cтраница 4
 |
Структура КМОП ИС. [46] |
Изготовляют МОП ИС методами планарной технологии. Наиболее совершенным являются МОП ИС с каналами n - типа ( пМОП ИС) и комплементарные, основанные на одновременном использовании транзисторов с каналами п - и р-типа ( КМОП ИС), с затворами из поликристаллического кремния. [47]
Последние особенно нежелательны в планарной технологии, так как при использовании контактной фотолитографии приводят к быстрому выходу из строя фотошаблонов. [48]
В последнее время в планарной технологии начинают применять пленки нитрида кремния ( Si3N4), однако применение этих пленок связано с рядом серьезных технологических трудностей. Покрытия, использующие Si3N4, являются более устойчивыми к воздействию окружающей среды и поэтому очень перспективны для изготовления так называемых бескорпусных транзисторов и транзисторов, запрессованных в пластмассу. [49]
Полупроводниковые ИМС изготовляют по планарной технологии, широко применяемой в производстве дискретных транзисторов. Основой планарной технологии является последовательное создание методом диффузии слоев р - и n - типа в объеме кремниевой подложки. [50]
Современные БТ изготавливаются по планарной технологии с использованием методов диффузии и эпитаксии. Таким образом, создают коллекторную область БТ. При второй диффузии в полупроводниковую пластину вводят акцепторную примесь на меньшую глубину ( 15 мкм) и создают базовую область БТ. Выводы БТ располагаются в одной плоскости, поэтому транзистор называется плапарным. Это упрощает процесс изготовления и позволяет автоматизировать монтаж транзистора в корпус, а также снизить его стоимость. [51]
В последнее время в кремниевой планарной технологии все большее значение приобретают гетероэпитаксиальные процессы, связанные с выращиванием монокристаллических кремниевых пленок на монокристаллических подложках из других материалов, в том числе диэлектрических. [52]
Такая последовательность операций в планарной технологии полупроводниковых приборов является универсальной и в принципе мо-4 жет быть применена не только для кремния, но и для других полупроводниковых материалов. [53]
Такая последовательность операций в планарной технологии полупроводниковых приборов является универсальной и в принципе может быть применена не только для кремния, но и для других полупроводниковых материалов. [54]
 |
Фрагмент пьезофнльт. [55] |
Это позволяет, применяя современную планарную технологию нанесения электродов, изготавливать фильтры с различными характеристиками. У этих пьезоэлектриков высокая ( как у кварца) термостабильность сочетается с большими коэффициентами электромеханической связи, что позволяет существенно улучшить характеристики монолитных фильтров, в частности ширину полосы пропускания. [56]
Создание мощных транзисторов с помощью планарной технологии позволяет изготовлять эмиттеры очень сложной формы. Пла-нарная технология при использовании пластин с эпитаксиальными слоями дала возможность разработать мощные СВЧ транзисторы. [57]
 |
Конфигурации переходов мощных сплавных транзисторов. [58] |
Создание мощных транзисторов с помощью планарной технологии позволяет изготовлять эмиттеры сложной формы. Планарная технология при использовании пластин с эпитаксиальными слоями дала возможность разработать мощные СВЧ-транзисторы. [59]
 |
Структура полупроводниковой микросхемы. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5