Диффузионная технология

Cтраница 1

Гребенчатая ( а, эвольвентная ( б и много-эмиттерная ( в конструкции эмиттерных переходов транзистора. [1]

Диффузионная технология позволяет реализовывать более сложные конструкции транзисторов. [2]

Диффузионная технология позволяет получить очень тонкую базу, что само по себе ( даже без учета распределения примесей) приводит к ряду важных следствий. Коэффициент передачи р по тем же соображениям должен был бы доходить до 3000 и больше. На самом деле он значительно меньше и обычно не превышает 200 - 300, Зто объясняется тем, что величины а и Р зависят не только от толщины базы, но также от времени жизни и коэффициента инжекции. В связи с повышенной концентрацией примесей вблизи эмиттера время жизни в базе дрейфового транзистора значительно меньше, чем у сплавного ( см. ряс. Тем не менее у специальных типов дрейфовых транзисторов [77] удается получить значения р до 5000 и более, уменьшая толщину базы до долей микрона а. Однако такие значения р получаются за счет резкого уменьшения рабочих напряжений: напряжение смыкания ( 4 - 78) составляет у этих транзисторов всего 1 - 1 5 В. [3]

Диффузионная технология в отличие от сплавной дает возможность изготовлять р - п переход на одной пластине, что сокращает расход полупроводниковых материалов и повышает механическую прочность полупроводниковой структуры, так как она не образована сплавлением двух пластин. Кроме того, диффузионная технология позволяет автоматизировать операцию диффузии, точность проведения которой в основном определяют электрические параметры р - п переходов. Очевидно, по мере освоения диффузионного метода получения р - п переходов он будет основным при производстве диодов. [4]

Диффузионная технология позволяет получить очень тонкую базу, ш) само по себе ( даже без учета распределения примесей) приводит к ряду важных следствий. Толщина базы у дрейфовых транзисторов в 5 - 10 раз леныие, чем у сплавных, а потому время диффузии tD и постоянная зремени та оказываются меньше в десятки раз; соответственно увели-щвается граничная частота / а. Коэффициент передачи р по тем же юображениям должен был бы доходить до 1 000 и больше. Это) бъясняется тем, что величины аир зависят не только от толщины 5азы, но также от времени жизни и коэффициента инжекции. [5]

Конструкция планарно-эпитаксиального. [6]

Диффузионную технологию наиболее применяют при изготовлении кремниевых диодов. Исходным материалом здесь также служит кремний и-типа. Для создания р-слоя используют диффузию акцепторного элемента ( бора или алюминия) через поверхность исходного материала. Диффузия может осуществляться в любом из трех состояний акцепторного вещества: твердом, жидком или газообразном. При диффузионном методе достигаются достаточная точность выполнения глубины / - слоя и концентрация примеси в нем на большой площади р-я-перехода, что важно для получения требуемых параметров диодов. [7]

При диффузионной технологии, технологии вытягивания из расплава и некоторых других видах технологии на поверхности полупроводника не образуется слоя металла. В этом случае приходится производить дополнительную операцию по созданию омического ( невыпрямляющего) контакта. [8]

Семейство входных статических характеристик транзистора в схеме с общей базой.| Семейство иходных статических характеристик транзистора в схеме с общим эмиттером.| Семейство выход - [ IMAGE ] - 18. Семейство вы-ных статических характери - ходных статических ха-стик транзистора в схеме рактеристик транзистора с общей базой при парамет - в схеме с общей базой ре - ток эмиттера. при параметре - напря.| Семейство выходных статических характеристик транзистора в схеме с общим эмиттером при параметре - ток базы.| Семейство выходных статических характеристик транзистора в схеме с общим эмиттером при параметре - напряжение базы. [9]

Методы диффузионной технологии используются также для изготовления мощных высокочастотных транзисторов. [10]

В более старых диффузионных технологиях существует риск во время снятия, очистки и установки труб печей. Факторы риска включают вероятность порезов разбитыми кварцевыми принадлежностями и кислотных ожогов во время ручной очистки. Новые технологии уменьшают риск благодаря очистке трубы на месте, что дает возможность исключить многие ручные операции. [11]

Конструкции фотодиодов. а - ФД-2, б - ФД-3. [12]

Наряду с диффузионной технологией кремниевых фотодиодов стали применять Планерную технологию ( рис. 9.32 6), широко используемую при изготовлении других полупроводниковых приборов. Контакт к / 7-слою осуществлен напылением алюминия. К нему термокомпрессией подсоединен тонкий золотой электрод, соединяющийся с выводом фотодиода. Поверхность фотодиода защищена окисью кремния, являющейся также просветляющим слоем, повышающим чувствительность фотодиода. [13]

Инерционность фотодиодов.| Структура фотодиода типа p - i - n. [14]

При производстве фотодиодов используют сплавную и диффузионную технологию изготовления р - / г-переходов. [15]

Страницы: 1 2 3 4