Диффузионная технология
Cтраница 3
Затем такая двухслойная пластинка используется для изготовления триода меза по диффузионной технологии. Такая структура позволяет применять для коллекторной области низкоомный материал, что дает хорошие импульсные характеристики триода; в то же время достаточно большое пробивное напряжение и малая емкость коллекторного перехода обеспечиваются высокоомным эпитаксиальным слоем. [31]
Благодаря совершенствованию обработки полупроводниковых материалов появилась возможность изготавливать транзисторы путем чисто диффузионной технологии, не применяя операций вплавления. [32]
Благолриятным для создания высокочастотного транзистора является и то, что при диффузионной технологии исходный материал образует область коллектора, концентрация примесей в которой может быть небольшой. [33]
Благоприятным для создания высокочастотного транзистора является то обстоятельство, что при диффузионной технологии исходный материал образует область коллектора, концентрация примесей в которой может быть небольшой. В результате область объемного заряда коллекторного перехода при повышении напряжения распространяется в основном не в базу, а в коллектор, что снижает возможность смыкания даже при очень малой толщине базы. Это же способствует тому, что концентрацию примесей в базе диффузионного транзистора можно повысить для снижения ее сопротивления без существенного повышения барьерной емкости коллекторного перехода и падения его пробивного напряжения. [34]
 |
Технологический процесс изготовления триода меза. [35] |
Недостатком триода меза, да и других триодов, полученных с помощью диффузионной технологии, является довольно высокое сопротивление объема коллектора. Это сопротивление следует рассматривать как включенное последовательно с нагрузкой в коллекторную цепь, что при работе на импульсах ухудшает свойства триода. [36]
На рис. 3.9, б приведен диод с р-п переходом, полученным по диффузионной технологии. На кремниевую пластину с электропроводностью n - типа наносят слой окисла SiO2, являющийся хорошим диэлектриком. Затем в защитной окисной пленке химическим травлением образуют окно, через которое диффузией вводится акцепторная примесь. Устройство заключается в защитный керамический или пластмассовый корпус с проводниками. Диоды, изготовленные по этому методу, обладают высокой надежностью и стабильностью параметров. [37]
Выпрямительные диоды предназначены для преобразования переменного тока в постоянный и выполняются по сплавной или диффузионной технологии. На рис. 10.11 приведены условное изображение выпрямительного диода и его типовая вольт-амперная характеристика. Прямой ток диода направлен от анодного А к катодному Кат. [38]
Выпрямительные диоды предназначены для преобразования неременного тока в постоянный и выполняются по сплавной или диффузионной технологии. На рис. 10.11 приведены условное изображение выпрямительного диода и его типовая вольт-амперная характеристика. Прямой ток диода направлен от анодного А к катодному Кат. [39]
Выпрямительные диоды предназначены для преобразования переменного тока в постоянный и выполняются по сплавной или диффузионной технологии. На рис. 10.11 приведены условное изображение выпрямительного диода и его типовая вольт-амперная характеристика. Прямой ток диода направлен от анодного А к катодному Кат. [40]
Современные полупроводниковые приборы изготовляются, как правило, по планарной технологии, являющейся модификацией диффузионной технологии. Основным преимуществом планарной технологии является обеспечение точных размеров переходов и их - защита от воздействия внешней среды и загрязнений. В планарной структуре границы переходов находятся под защитным слоем двуокиси кремния, в связи с чем устраняются многие проблемы. В германиевых пленарных транзисторах также используются покрытия из двуокиси кремния. В качестве дополнительного пассивирующего слоя в планарных приборах может использоваться нитрид кремния, что увеличивает стабильность транзисторов и возможность его работы при более высоких температурах. [41]
Кремний можно легировать примесями с глубокими уровнями в процессе выращивания монокристаллов, но обычно используется более простая диффузионная технология. С), и поэтому уже за время порядка нескольких часов достигается равномерное насыщение кристаллов. Изменением температуры диффузии можно легко изменять концентрацию введенной примеси, так как предельная растворимость примеси зависит от температуры. [42]
Следует отметить, что для увеличения пробивного напряжения на эмиттерном переходе у высокочастотных транзисторов, полученных на основе диффузионной технологии, в приэмиттерной области базы наращивается эпи-таксиальная пленка. Наличие высокоомной пленки помимо увеличения пробивного напряжения создает тормозящее поле, что делает невозможным применение такого транзистора при режимах микротоков. Поэтому с точки зрения эффективной работы транзистора в режимах микротоков наиболее перспективны микросплавные и планарные транзисторы. [43]
 |
Схема установки ионного внедрения.| Профиль распределения примеси и конфигурация перехода, образующегося в результате. [44] |
Для локального внедрения примесей в соответствии с топологией элементов ИС применяются те же методы, что и в диффузионной технологии. В качестве защитной маски используются слои двуокиси кремния и металлические пленки. Характер распределения примесей на фронтальной части р-п перехода при ионном внедрении подобен распределению, получаемому при диффузии. Однако распределения примесей на боковых границах в этих двух технологических методах существенно различаются. При диффузии примесь проникает не только в глубь материала, но и под окисел. При ионном внедрении примесь распространяется только прямолинейно в глубь мишени. [45]
Страницы: 1 2 3 4