Диффузионная технология

Cтраница 4

Специальные фильтры, или пористые перегородки, с размерами пор, измеряемыми долями микрометра, являются одним из основных элементов диффузионной технологии разделения изотопов урана ( Круглов А.К. Как создавалась атомная промышленность в СССР. [46]

Часть установки для испытания центрифуг в Ок-Ридже. [47]

Опубликованные значения удельных капиталовложений обычно выше, чем для диффузионных заводов, хотя самые низкие оценки для центрифуг перекрываются с самыми высокими значениями для диффузионной технологии. Оставшаяся неопределенность в оценках реальных капиталовложений может быть преодолена только путем строительства и накопления опыта эксплуатации демонстрационных заводов. [48]

За время, прошедшее после получения этим способом первого сварного соединения, в России и за рубежом выполнено большое число научно-исследовательских работ теоретического и прикладного характера по диффузионной технологии. Данная технология применяется почти во всех отраслях хозяйства, а в ряде случаев именно благодаря наличию такого эффективного способа соединения материалов стало возможным создание принципиально новой промышленной продукции. [49]

Фильтры, сетки, специальные фильтры, диафрагмы для диффузионных машин, или пористые перегородки с размерами пор, измеряемыми долями микрометра, являются одним из основных элементов диффузионной технологии разделения изотопов урана. [50]

Действительно, ионное легирование или, как его еще называют, ионная имплантация, позволяет вводить примеси в пластину при комнатной температуре, а не при 1000 - 1200 С, как при диффузионной технологии. [51]

При изготовлении солнечных элементов из кремниевых пленок, создаваемых методом вакуумного испарения [23], а также пленок, выращиваемых на керамических [24] и многократно используемых [3] подложках, легирование и формирование р-п-перехода осуществляются с помощью обычной диффузионной технологии. [52]

При производстве фотодиодов используют сплавную н диффузионную технологию изготовления р-л-переходов. Причем диффузионная технология используется для кремниевых фотодиодов. [53]

Выполнены по пла-нарной диффузионной технологии с изоляцией р-п переходом. [54]

Диффузионная технология в отличие от сплавной дает возможность изготовлять р - п переход на одной пластине, что сокращает расход полупроводниковых материалов и повышает механическую прочность полупроводниковой структуры, так как она не образована сплавлением двух пластин. Кроме того, диффузионная технология позволяет автоматизировать операцию диффузии, точность проведения которой в основном определяют электрические параметры р - п переходов. Очевидно, по мере освоения диффузионного метода получения р - п переходов он будет основным при производстве диодов. [55]

Возможно применение и ранее высушенного топинамбура в виде ломтиков или стружки. Извлечение Сахаров осуществляют или по диффузионной технологии ( подробно описанной в разделе Сусло из сахарной свеклы), то есть на брожение направляется сироп, или без отделения мезги от воды. В последнем случае на брожение направляется смесь стружки или ломтиков с водой. [56]

Типичные ВАХ полупроводниковых вентилей. купроксного ( Си, селенового ( Se, германиевых точечного ( Qe - т и плоскостного ( Ое-и, кремниевых точечного ( Si - т и плоскостного ( Si - n. [57]

Особой разновидностью импульсных диодов является диод с накоплением заряда. Такой диод изготовляется с помощью диффузионной технологии, причем вследствие неравномерного легирования кристалла полупроводника в базе появляется электрическое поле, тормозящее движение инжектированных носителей в направлении к невыпрямляющему контакту. Поэтому накопление неравновесных носителей при протекании прямого тока происходит в весьма узком слое базы, непосредственно прилегающем к р-п переходу. Это приводит к тому, что при переключении диода с прямого направления на обратное его сопротивление в течение некоторого времени остается очень низким, а затем резко возрастает до нормального значения обратного сопротивления. С помощью таких диодов удается формировать импульсы напряжения с очень крутыми фронтами ( менее 0 2 не) и строить ряд оригинальных устройств, в частности импульсные усилители и умножители частоты. [58]

Устройство несимметричного ( а и симметричного ( б биполярных транзисторов. [59]

Электрические характеристики симметричного транзистора сохраняются при взаимной замене в схеме выводов эмиттера и коллектора. Конструкция биполярного транзистора, изготовленного по диффузионной технологии с точечными р-л-переходами, не отличается от рассмотренной конструкции сплавного транзистора, однако его электрические параметры существенно отличаются вследствие малых токов и емкости переходов. [60]

Страницы: 1 2 3 4