Пленочная технология
Cтраница 1
 |
Спектр магнетита в рудном габбро. [1] |
Пленочная технология, особенно в области микроэлектроники, предъявляет свои специфические требования к аналитической химии. В настоящее время рентгеноспектральный флуоресцентный анализ успешно применяется для определения состава и толщины пленок без их разрушения. Очевидно, что локальный рентгено-флуо-ресцентный анализ может иметь еще большие перспективы в исследовании пленочных материалов, в их аналитическом контроле, так как этот метод позволяет изучать однородность пленок по их составу и толщине. [2]
Пленочная технология предпочтительна в тех случаях, когда необходимо изготовить пассивные элементы с высокой точностью номиналов. Тонкопленочная технология позволяет выбрать материал с необходимыми параметрами и характеристиками и получить пассивные элементы любой требуемой конфигурации. [3]
 |
Конструкция фильтра ПАВ ( в плане. [4] |
Пленочная технология позволяет изготавливать преобразователи на частоты до нескольких гигагерц. Нижняя частота работы преобразователей определяется ограничениями, накладываемыми на размер площади, занимаемой преобразователем, и равна единицам мегагерц. В простейшем случае для компенсации емкостного сопротивления преобразователя на его входе создают индуктивность: получается колебательный контур, настроенный на центральную частоту фильтра. Для согласования активных составляющих подбирают коэффициент трансформации контура или обеспечивают необходимое значение RH. [5]
Пленочная технология предпочтительна в тех случаях, когда необходимо изготовить сравнительно небольшое количество специализированных схем с высокой точностью номиналов пассивных элементов. К большим преимуществам тонкопленочной технологии относятся возможность выбора материалов с оптимальными параметрами и характеристиками и получение любой требуемой конфигурации пассивных элементов. [6]
Пленочная технология является гибкой и позволяет быстро создавать схемы, аналогичные схемам из обычных дискретных элементов. Пленочные микросхемы наиболее широко применяются при создании аналоговой аппаратуры Вообще их целесообразно использовать там, где велика номенклатура схем, где требуются конденсаторы с большой емкостью и резисторы с большими номиналами, высокой стабильностью, высокой допустимой мощностью рассеяния. [7]
 |
Классификация интегральных микросхем. [8] |
Методами пленочной технологии обычно изготовляют пассивные элементы схем - резисторы, конденсаторы и индуктивности. [9]
Эпитаксиальная или пленочная технология позволяет контролировать толщину слоев и количество примесей, конфигурацию боковых границ р - / г-перехода без механической обработки. Термин эпи-таксия ( от греческих эпи - на, поверх, и таксис - расположенный в порядке) предложен для описания процесса ориентированного нарастания кристаллов. Эпитаксиальный слой - это тонкий слой материала, осажденного на монокристаллическую подложку, сохраняющий морфологию этой подложки. [10]
При использовании пленочной технологии на подложку наносятся проводящие, диэлектрические, ферромагнитные и резистивные пленки преимущественно способом термического испарения в вакууме. Такими же способами возможно выполнять и активные элементы схемы: полупроводниковые диоды и триоды. Конечно, такое производство пока еще очень сложно, требует высокой тщательности и почти полной его автоматизации. Но зато изделия, полученные таким способом, обладают исключительной надежностью. [11]
Большие перспективы в пленочной технологии дает применение электронных и ионных лучей. [12]
Разбавленные растворы полимеров в пленочной технологии не применяются, однако изучение их свойств имеет очень большое значение для научно-исследовательских и контрольных целей. Так, например, многие методы определения молекулярного веса полимеров основаны на исследовании свойств их разбавленных растворов. Кроме того, отсутствие межмолекулярного взаимодействия в разбавленных растворах полимеров позволяет изучать особенности строения и свойств самих цепных молекул. [13]
В производстве гибридных ИМС используется пленочная технология, которая позволяет изготовлять с достаточно стабильными параметрами лишь пассивные элементы - резисторы, конденсаторы, индуктивные катушки. Активные компоненты в гибридных ИМС, как упоминалось ранее, выполняют в виде дискретных приборов. [14]
Этот результат демонстрирует интересные возможности пленочной технологии, позволяющей получать в условиях низкотемпературной кристаллизации соединения с составом, который трудно реализовать кристаллизацией из расплава ( см. разд. Появлению в пленках метастабилъных состояний может способствовать большее отношение поверхности пленки к ее объему и влияние подложки. [15]
Страницы: 1 2 3 4