Cтраница 3
С микроминиатюризацией элементов радиоэлектронной аппаратуры тесно связано использование для их изготовления пленочной технологии. Делаются попытки создать производство по такой технологии катушек индуктивности. Последние представляют собой плоские, обычно однослойные спирали, состоящие из 8 - 15 витков, нанесенных на подложку методом печатного монтажа. Для изготовления спиралей применяют неокисляемые, хорошо проводящие электрический ток металлы, например золото. [31]
![]() |
Зависимость ег и ТКе от состава твердых растворов CaTiO3 - LaAlOs, получен. [32] |
Изделия из этого материала оформляются методами протяжки, прессования, горячего литья и пленочной технологии. [33]
Гибридные интегральные схемы выполняют в два приема, сначала на подложке из диэлектрика пленочной технологией создают пассивные элементы и соединяющие ленточки. Затем к полученной конструкции крепят активные элементы в бескорпусном исполнении. В тонкопленочных ( толщина меньше 1 мкм) интегральных схемах достигается большая степень интеграции и более широкий диапазон номинальных значений пассивных элементов. [34]
Изделия из этого материала оформляются методами протяжки, прессования, горячего литья и пленочной технологией. [36]
На практике широко применяют ИМС, изготовленные с использованием как полупроводниковой, так и пленочной технологии. Поскольку каждый из этих технологических принципов имеет свои преимущества, то оба указанных типа ИМС взаимно дополняют друг друга, не конкурируя между собой. Например, бескорпусные полупроводниковые ИМС во многих случаях являются компонентами гибридных ИМС, что особенно характерно для микросборок. [37]
Гибридная технология объединяет принципы пла-нарной технологии, с помощью к-рой предварительно формируются микроприборы, я пленочной технологии, средствами к-рой формируются пассивные элементы ( сопротивления, конденсаторы, индуктивности) и сеть внутр. [38]
При массовом выпуске ЦВ применяют делители напряжения, выполненные из манганинового микропровода или на основе пленочной технологии, например, из резистивного сплава на основе нитрида тантала. Эти делители выполняются в виде единой конструкции из резистивного материала, позволяющего получить ТАКС одного знака и незначительной величины. [39]
Важным преимуществом пленочных магнитных элементов является возможность применения для их изготовления вместе с управляющими шинами единой пленочной технологии - одного из перспективных направлений микроминиатюризации электронной аппаратуры. [40]
Гибридные интегральные микросхемы имеют достаточно широкое применение благодаря тому, что дают возможность использовать достижения как пленочной технологии, так и новых разработок полупроводниковых приборов и прогрессивных технологических методов, допускают использование больших мощностей и обеспечивают более легкий переход от макета на дискретных компонентах к интегральной форме. [41]
Если в микромодулях микроэлемент еще существует как отдельная деталь до момента сборки микромодуля, то метод пленочной технологии предполагает изготовление большинства элементов непосредственно в процессе изготовления микросхемы, а в молекулярных функциональных устройствах и СБИС невозможно выделить отдельные элементы схемы. [42]
![]() |
Последовательность разработки топологии тонкопленочной интегральной микросхемы. [43] |
Заданная электрическая схема ( рис. 20.4, а) должна быть упорядочена в соответствии с особенностями пленочной технологии. [44]
![]() |
Пленочные катушки индуктивности. а - прямоугольная спираль. б - круглая спираль. / - токопроводящая пленка. [45] |