Пленочная технология
Cтраница 4
В процессе разработки топологической структуры ИС решают следующие задачи: определение геометрических размеров элементов, получаемых методом пленочной технологии; разработка схемы взаимного расположения и соединения элементов на подложке; определение метода изготовления пленочных элементов и способов подсоединения выводов пленочных и навесных элементов к контактным площадкам и внешним выводам; выбор окончательной формы и размещения пленочных элементов; оформление чертежей; оценка качества топологии микросхемы и внесение корректировки. [46]
В совмещенных и гибридных ИМС пассивные элементы ( резисторы, конденсаторы, распределенные КС-структуры) изготавливаются по пленочной технологии путем напыления или нанесения многослойных резистивных, проводящих и изолирующих пленок на поверхности подложки. В качестве подложки в гибридных ИМС обычно применяют силикатные стекла и их модификации - ситаллы. На такой керамической пластине, которая одновременно используется в качестве подложки для сборки всей микросхемы, располагаются пленочные резисторы и конденсаторы. В совмещенных ИМС подложкой служит кремниевый кристалл, поверхность которого покрывается окисным слоем, пассивирующим активные элементы. [47]
 |
Пленочные катушки индуктивности. а - прямоугольная спираль. б - круглая спираль. / - токопроводящая пленка. [48] |
В процессе разработки топологической структуры ИС решают следующие задачи: определение геометрических размеров элементов, получаемых методом пленочной технологии; разработка схемы взаимного расположения и соединения элементов на подложке; определение метода изготовления пленочных элементов и способов подсоединения выводов пленочных и навесных элементов к контактным площадкам и внешним выводам; выбор окончательной формы и размещения пленочных элементов; оформление чертежей; оценка качества топологии микросхемы и внесение корректировки. [49]
Третье поколение элементной базы появилось после внедрения в полупроводниковое производство планарной технологии, которая в сочетании с пленочной технологией позволила создать принципиально нов. [50]
Другим направлением является автоматизация проектирования микроэлектронных узлов, коммутация в которых реализуется на подложках, выполненных на основе пленочной технологии. Это толстопленочные и тонкопленочные микросборки, гибридные и пленочные ИМС. Примером может служить автоматизированная система мон-тажно-коммутационного проектирования микросборок. Система проводит размещение, трассировку, выпуск документации, изготовление фотошаблонов. Время разработки с помощью системы сокращается в 10 - 20 раз. Очень важным направлением является разработка полупроводниковых ИМС и БИС, так как специфика их разработки требует длительного срока изготовления опытного образца и имеет высокую стоимость. Машинные методы проектирования дают возможность значительно сократить сроки разработки и уменьшить стоимость. Именно благодаря машинному проектированию стало возможным создание БИС с высокой степенью интеграции. Примером таких систем является система программ автоматизации топологического проектирования микроэлектронных схем. [51]
В книге рассмотрены методы изготовления интегральных схем, вопросы разработки приборов на эффекте Ганна, возможности использования гетеропереходов и пленочной технологии. Описаны планарная, эпитаксиальная и электроннолучевая технологии изготовления интегральных схем. Дан анализ новых физических явлений, которые все шире используются в современной полупроводниковой электронике. [52]
Например, диоды и транзисторы могут быть выполнены по полупроводниковой технологии в кристалле кремния, а на его поверхности при помощи пленочной технологии нарисованы резисторы и соединения между элементами. Такой способ изготовления ИС находит применение благодаря тому, что пленочные резисторы имеют значительно более стабильные характеристики, чем полупроводниковые. [53]
Совмещенные ИС составляются из активных элементов, изготовленных в объеме активной подложки, и пассивных элементов, получаемых на ней методом пленочной технологии. Это направление расценивается как перспективное, но пока еще мало развито. [54]
Интегральные пленочные микросхемы ( или просто пленочные микросхемы) - микросхемы, в которых все входящие в схему элементы выполнены методами пленочной технологии на поверхности общего диэлектрического основания. [55]
Для получения всех перечисленных элементов в микросхеме широко используют технологические процессы, впервые разработанные для изготовления полупроводниковых приборов, а также пленочную технологию, что позволило создать конструктивный элемент с новыми свойствами. [56]
Совмещенная микросхема - это комбинированная полупроводниковая интегральная микросхема, в которой отдельные элементы ( обычно пассивные) вы-лолняют на поверхности кристалла методами пленочной технологии. [57]
В гибридных схемах на пассивной подложке ( стекло, керамика) пассивные элементы ( резисторы, соединительные проводники, конденсаторы) получают методами пленочной технологии, а активные элементы являются навесными, причем транзисторы применяют в бескорпусном исполнении. [58]
Совмещенная микросхема - комбинированная интегральная полупроводниковая микросхема, в которой некоторые элементы ( обычно пассивные) наносятся на поверхность подложки ( кристалла) методами пленочной технологии. [59]
Страницы: 1 2 3 4