Пленочная технология

Cтраница 2

Этот результат демонстрирует интересные возможности пленочной технологии, позволяющей получать в условиях низкотемпературной кристаллизации соединения с составом, который трудно реализовать кристаллизацией из расплава ( см. разд. Появлению в пленках метастабильных состояний может способствовать большее отношение поверхности пленки к ее объему и влияние подложки. [16]

Конструкция тонкопленочного конденсатора. [17]

Верхний предел d ограничен возможностями пленочной технологии. [18]

Структура гибридной интегральной микросхемы, эквивалентная схема которой показана на рис, 7 1 6. [19]

Гибридные интегральные микросхемы позволяют использовать преимущества пленочной технологии в сочетании с полупровэднико-вой технологией. Резисторы и конденсаторы, созданные методами пленочной технологии, могут при малой занимаемой площади иметь большие номиналы и малые температурные изменения параметров, зависящие от выбранного резистивного или диэлектрического материала пленок. Контроль скорости осаждения или нанесения пленок в процессе создания резисторов и конденсаторов позволяет изготовлять их с большой точностью и малым разбросом параметров. [20]

Характерной особенностью и большим достоинством тон ко пленочной технологии является возможность использования широкого набора материалов для получения пассивных элементов микросхемы с оптимальными характеристиками и почти любой конфигурации. Современное технологическое оборудование и методы тонкопленочной технологии обеспечивают разрешающую способность рисунка микросхемы на порядок выше, чем при толстых пленках, что позволяет в 10 и более раз повысить уровень интеграции элементов в микросхеме. Упрощенная схема технологического процесса, приведенная на рис. 8.2, б, отражает основные этапы производства и их взаимосвязь. [21]

Несомненным достоинством их является возможность изготовления по пленочной технологии ( см. § 3.2), доминирующей в СВЧ полупроводниковых устройствах интегрально-гибридного типа. С расширением полосы согласования ( пропускания) электрической цепи количество элементов в ней необходимо увеличивать. При выбранной структуре оптимальной является цепь, имеющая требуемые характеристики при наименьшем количестве элементов. [22]

При микромодульном конструировании радиоэлектронной аппаратуры широко применяют пленочную технологию. [23]

В сочетании с миниатюрными устройствами СВЧ на базе пленочной технологии современные аппараты, содержащие тысячи и десятки тысяч активных элементов, позволяют реализовать очень компактные и надежные системы. Дальнейший прогресс в этой области связан с совершенствованием технологии. [24]

CdS, что важно для понимания поведения сульфидов в пленочной технологии. [25]

СВЧ-ИМС изготовляют обычно Риа 7Ла Индуктивность для СВЧ-ИМС методами пленочной технологии. Это объясняется тем, что значения индуктивности, емкости и сопротивлений, необходимые для СВЧ-ИМС, как правило, невелики. [26]

В связи с непрерывным совершенствованием как полупроводниковой, так и пленочной технологии, а также ввиду усложнения электронных схем происходит процесс слияния полупроводниковых и тонкопленочных микросхем и сложные электронные схемы изготовляют на основе совмещенной технологии. [27]

Гибридные ИС ( ГИС) состоят из элементов, изготовленных пленочной технологией, и дискретных элементов. [28]

Корпуса интегральных схем. [29]

Гибридно-пленочные И С выполняются на изолирующей подложке, на которой методами пленочной технологии образованы пассивные элементы и соединительные проводники. [30]

Страницы: 1 2 3 4