Тип - проводимость
Cтраница 2
Тип проводимости полупроводника ( г - или р -) может изменяться. [16]
Тип проводимости рассматриваемых соединений часто определяется их отклонением от стехиометрии. [18]
 |
Электрофизические свойства SiC.| Электрофизические свойства TiO2, Ti2O3, TiO. [19] |
Тип проводимости рассматриваемых соединений часто определяется отклонением от стехиометрии. [20]
Тип проводимости соединений АзВу зависит от нарушения стехиометрии. Избыток щелочного металла против стехиометрии всегда создает донорные уровни, а избыток элементов V группы - акцепторы. Во всех исследованных соединениях А ВУ соотношение компонентов отличается от стехиометрического, что соответствует максимуму эми-сионной способности. Это имеет важное значение для получения стабильных фотоэмиттеров с высокой эффективностью. [21]
Такой тип проводимости, характерный для химически чистого, строго стехиометрического полупроводника, называется собственной проводимостью, которая ( как было только что указано) складывается из электронной и дырочной проводимости. [22]
Такой тип проводимости, характерный для химически чистого, строго стехиометрического полупроводника, называется Собственной проводимостью, которая ( как было только что указано) складывается из электронной и дырочной проводимости. [23]
Какой тип проводимости преобладает у кремния, содержащего примесь галлия, и какой тип - у кремния с примесью селена. [24]
Какой тип проводимости преобладает у кремния, содержащего примесь галлия, и какой тип - у кремния с примесью селена. [25]
Этот тип проводимости был назван эстафетным. [26]
 |
Зависимость подвижности элек тронов от состава сплавов в системах. [27] |
Поэтому тип проводимости растворов вблизи арсенида индия обусловлен избытком определенного компонента в нем. Высокая и слабо зависящая от состава концентрация носителей заряда, как следует из работы [3] и наших экспериментов, определяется техникой приготовления раствора, а не предельной растворимостью атомов соответствующего компонента в нем. Элементы, входящие в состав раствора, имеют резко отличные коэффициенты сегрегации, диффузии и давления паров при температуре кристаллизации, что препятствует попарному внедрению их в расплав в виде нейтральных образований. По-видимому, всегда имеется преимущественный уход элемента второй или шестой группы в газообразную фазу, а оставшийся элемент обусловливает высокую концентрацию носителей заряда и тип проводимости раствора. Такими элементами для систем 1 - 5 являются кадмий и цинк, для системы б - теллур. Это подтверждается тем, что в системе 3 в зависимости от технологии приготовления можно получить кристаллы не только п -, но и р-типа. [28]
Если тип проводимости исходного кристалла отличается от того, который создается вплавляемым элементом, то в результате вплавления образуется электронно-дырочный переход. Состав ре-кристаллизованного слоя у перехода определяется максимальной температурой нагрева и коэффициентом распределения вплавленной примеси. [29]
Изменение типа проводимости слоев в данном случае легко регулировать. Для этого необходимо прекратить подачу силана с данным легирующим газом, промыть систему чистым водородом и вновь подать силан, содержащий соединение легирующей примеси с противоположным типом проводимости. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5