Cтраница 4
Буквы означают тип проводимости полупроводникового материала, из которого изготовлен транзистор. В транзисторах обоих типов стрелкой отмечается эмиттер, направление стрелки указывает направление протекания тока. [46]
![]() |
НУ в твердом и жидком. [47] |
Не изучен еще примесный тип проводимости жидких полупроводников с большей шириной запретной зоны, обещающий лучшие результаты. [48]
![]() |
Схема установки для измерения удельного сопротивления двухзондовым методом. [49] |
При определении типа проводимости этим методом важную роль играет обработка поверхности образца полупроводника. Желательно, чтобы поверхность образца была шероховатой ( шлифованной), а не полированной; при шлифованной поверхности осциллограмма более четко выражена и по ней легче определять тип проводимости измеряемого образца. [50]
Процесс перемены типа проводимости называется конверсией. Поскольку удаление примесей из базовой области происходит за счет диффузии, концентрация оставшихся в базе примесей распределяется неравномерно. [51]
Существует два типа проводимостей, используемых для формирования матрицы ут: а) проводимости Пассивных элементов ( активные сопротивления, индуктивности, емкости) и б) эквивалентные проводимости источников тока-пропорциональные узловым напряжениям. [52]
Отмечено изменение типа проводимости по мере смещения потенциала в область положительных значений в растворах в которых стали максимально склонны к коррозионному растрескиванию. При изменении температуры растворов смещаются потенциалы максимумов, которые идентифицированы как точки максимальной адсорбируемости сплавов на поверхности металлов. [53]
Закономерности изменения типа проводимости сульфидов, се-ленидов и теллуридов в какой-то мере повторяют закономерности для окислов тех же металлов. Однако есть и отличия. Например, ZnO и ZnS чаще получают с электронной проводимостью, a ZnSe и ZnTe - чаще с дырочной. Для элементарных полупроводников ( Ge, Si, Se, As, Те) и бинарных полупроводников, близких по электронной и кристаллической структуре к элементарным ( например, GaAs, InSb), одинаково легко можно получить и электронные, и дырочные образцы. [54]
Для выяснения типа проводимости полупроводника ( л - или / - тип) или установления преобладающего типа носителей заряда при смешанной проводимости используется эффект Холла. [55]
В противоположность типу проводимости, ширина запрещенной зоны U полупроводника может служить в ряде случаев практическим целям подбора. Уменьшение каталитической активности с ростом ширины запрещенной зоны является закономерностью, общей для большинства рассмотренных реакций окислительно-восстановительного типа. [56]
О двух типах проводимости, присущих полупроводникам, подробно рассказано в статье Германий. [57]
Носители, обусловливающие тип проводимости ( электронный или дырочный) полупроводника. В р-п-р-транзисторе основными носителями тока являются дырки; в п-р-п-транзисторе - электроны. [58]
Предполагается, что тип проводимости и положение уровня Ферми определяются легированием и температурой, но вводимые при этом примеси не влияют на рекомбинацию. [60]