Тип - проводимость
Cтраница 3
 |
Схема установки для определения типа проводимости полупроводниковых материалов по вольтамперной характеристике контакта. [31] |
Определение типа проводимости этим методом основано на выпрямляющих свойствах точечного контакта металл - полупровод-кик. В электронном полупроводнике ( - типа) прямой ток направлен от полупроводника к металлическому острию, а в дырочном - в противоположном направлении. [32]
Изменение типа проводимости кристаллов при легировании вызывает изменение сил связи в решетке и изменяет величину барьера Пайерлса для движения дислокаций. [33]
 |
Электронно-дырочный переход при наличии канала на поверхности п-типа.| Объемный заряд электронно-дырочного перехода при наличии инверсного слоя. [34] |
Слой инверсного типа проводимости на поверхности полупроводника может явиться каналом, по которому неосновные носители из объема транспортируются в область полупроводника противоположного типа проводимости. На рис. 7 - 10 изображен электронно-дырочный переход с инверсным слоем на поверхности полупроводника п-типа. [35]
 |
Кристаллическая решетка кремния без примесей, с акцепторной примесью бора и донорной примесью мышьяка. [36] |
Два типа проводимости полупроводников представляют собой реальные физические процессы, в чем легко убедиться при помощи опытов. [37]
 |
Кристаллическая решетка кремния без примесей, с акцепторной примесью бора и донорной примесью мышьяка. [38] |
Два типа проводимости полупроводников представляют собой реальные физические процессы, в чем легкр убедиться при помощи опытов. [39]
Два типа проводимости полупроводников представляют собой реальные физические процессы, в чем легко убедиться при помоши опытов. [40]
 |
Выходные и передаточные характеристики МДП. [41] |
По типу проводимости каналов МДП-транзисторы делятся а транзисторы с каналами п - и р-типов. Канал транзистора изолирован от основного объема подложки высокоомным слоем объемного заряда. [42]
Каким типом проводимости облада-дают донорные полупроводники. [43]
Полупроводники, тип проводимости которых зависит от вида примеси, называются амфотерными. [44]
Электронный либо дырочный тип проводимости Bi2Te3 получают или введением избыточного теллура висмута, или легированием примесями. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5