Cтраница 5
![]() |
Схема, поясняющая модель. [61] |
Предполагается, что тип проводимости и положение уровня Ферми определяются легированием и температурой, но вводимые при этом примеси не влияют на рекомбинацию. Это предположение объяснено тем, что легирующие примеси имеют мелкие энергетические состояния, а при глубоких рекомбинационных уровнях Et рекомбинация главным образом идет при участии последних. [62]
Предполагается, что тип проводимости и положение уровня Ферми определяются легированием и температурой, но вводимые при этом примеси не влияют на рекомбинацию. [64]
Возможен еще третий тип проводимости - смешанный. С ним приходится иметь дело тогда, когда в полупроводник введены как донорные, так и акцепторные примеси, причем в таких количествах, которые обеспечивают примерно одинаковую концентрацию дырок и электронов. [65]
Данный метод определения типа проводимости предложен акад. [66]
В зависимости от типа проводимости полупроводника в области канала различают полевые транзисторы с каналом я-типа ( как на рис. 2 - 70, а) и с каналом р-типа. Наличие двух типов полевых транзисторов, работающих при противоположных полярностях питающих напряжений, расширяет схемные возможности их применения. [68]