Тип - транзистор
Cтраница 1
 |
Основная схема триггера Шмитта. [1] |
Тип транзистора, Ек и Rs2 выбираются так же, как и в триггере. Когда транзистор Т2 отперт, напряжение на его эмиттере должно быть больше, чем нормальное изменение напряжения. [2]
Тип транзистора выбирают на основании максимально допустимого напряжения на коллекторе UK MSLKC и предельно допустимой мощности рассеяния в транзисторе Рк доп, величины которых указываются в справочниках. [3]
Тип транзистора выбирают, исходя из заданной границы воспроизведения верхних частот ( см. гл. [4]
Тип транзистора определяется характером радиоэлектронной схемы, условиями эксплуатации и требованиями к ее выходным электрическим параметрам. При температурах до 80 С обычно используются германиевые транзисторы, до 100 - 120 С - кремниевые. [5]
Тип транзистора выбирается с учетом его специфических особенностей. Так, например, при низких частотах до 10 - 20 Мгц в широком диапазоне мощностей и токов во всех схемах могут применяться сплавные транзисторы, имеющие к тому же наиболее низкую стоимость. Специфической областью микросплавных транзисторов следует считать высокочастотные переключающие схемы, триггеры и мультивибраторы с непосредственными связями, однако следует иметь в виду их сравнительно высокую стоимость. Тянутые транзисторы, обладая высоким напряжением и коэффициентом усиления, могут быть хорошо использованы в линейных усилителях, в видеоусилителях и в высоковольтных и малотоковых релаксационных генераторах; сплавно-диффу-зионные - в высокочастотных резонансных и апериодических усилителях, низковольтных скоростных генераторах импульсов и переключателях; конверсионные - в генераторах и усилителях радиопередающих устройств средних мощностей и средних частот, переключателях сравнительно больших токов и неболь - ших напряжений при средних скоростях. [6]
Типы транзисторов должны соответствовать. [7]
Тип транзистора в схеме рис. 11.4 выбирают так, чтобы его предельная частота усиления значительно превышала частоту ограничиваемого сигнала, а допустимое коллекторное напряжение в 2 - 3 раза превышало величину ограниченного напряжения. [8]
Тип транзистора обозначают следующим образом: первая буква ( цифра) указывает на материал ( Г или 1 - германий, К или 2 - кремний, А или 3 - арсенид галлия); на втором месте ставят букву Т ( транзистор); на третьем месте стоит трехзначное число, указывающее мощность рассеяния и частоту ( транзисторы малой мощности низкочастотные-от 101 до 199, среднечастотные - от 201 до 299, высокочастотные - от 301 до 399; транзисторы средней мощности низкочастотные - от 401 до 499; среднечастотные - от 501 до 599, высокочастотные - от 601 до 699; транзисторы большой мощности низкочастотные - от 701 до 799; среднечастотные - от 801 до 899; высокочастотные - от 901 до 999); на четвертом месте ставят букву, указывающую на разновидность конструкции транзистора данной группы. [9]
Первый разработанный тип транзистора был точечно-контактный транзистор, состоящий из двух металлических пружинок - контактов, близко расположенных на германиевой базе. [10]
 |
Определение вредней точки рабочей области характеристик. [11] |
Выбираем тип транзистора по граничной частоте / р / ( х ( 1 - а0) и допустимым Рк Ек и t K транзистора. [12]
Рассмотрим типы транзисторов, которые нашли наибольшее распространение при построении ЭКВМ. [13]
Выбирают тип транзистора по допустимой нестабильности в рабочем диапазоне температур и допустимому напряжению коллектор - эмиттер. Если ДГИ / ГП jgCjlO 2, то выбирают кремниевый транзистор. При большей величине допустимой нестабильности возможно использование германиевого транзистора. [14]
Каждый тип транзисторов, характеризуемый основными свойствами, разбивается на группы, обозначаемые по старой классификации буквами русского алфавита, а по новой цифрами. Группы транзисторов внутри одного типа отличаются по коэффициенту усиления, по шумовым свойствам и незначительно - по частотным. Деление транзисторов на группы по их коэффициенту усиления весьма относительно, так как при конкретных измерениях в низших группах могут быть обнаружены экземпляры с большим коэффициентом усиления по току, чем в высших. [15]
Страницы: 1 2 3 4