Тип - транзистор
Cтраница 4
Конструкция этого типа транзистора аналогична конструкции сплавного транзистора за исключением того, что лунки вытравливаются в пластинке до того, как добавляются эмиттерные и коллекторные шарики; кроме того, поверхностно-барьерный транзистор имеет меньшие размеры, чем сплавной транзистор. [46]
На выбор типа транзистора могут также влиять величина сопротивления источника сигнала, рабочий диапазон температур и требуемые показатели дрейфа. В случае работы усилителя от источника сигнала с низким внутренним сопротивлением могут быть получены малые значения входного дрейфа напряжения при температур ах выше ГКбо. Если используется источник с высоким внутренним сопротивлением, то наилучшие показатели дрейфа получаются при температурах, для которых величиной / кбо можно пренебречь. [47]
Для каждого типа транзисторов верхние цифры характеризуют граничные значения параметров, нижняя-наиболее вероятное ( среднее) значение параметра. [48]
Независимо от типа транзистора ( p - n - р или п-р - п) применяют три основные схемы его включения: с общей базой, с общим эмиттером, с общим коллектором. [49]
Различают два типа транзисторов: биполярные и униполярные. [50]
Правильный выбор типа транзистора и режима его работы при значительных коммутируемых мощностях определяет, как правило, основные показатели ИВЭП, такие как надежность, КПД, объем и массу. [51]
После выбора типа транзистора выбирают режим его работы. При этом следует исходить из следующих основных положений. [52]
Для каждого типа транзисторов верхние цифры характеризуют граничные значения параметров, нижняя-наиболее вероятное ( среднее) значение параметра. [53]
 |
Принципиальная электрическая схема двухканального усилителя. [54] |
Для этого типа транзистора характерны высокая температурная стабильность и низкий уровень шумов. [55]
При выборе типа транзистора для применения в конкретной схеме можно руководствоваться табл. 9.5, 9.6, в которых указаны характерные области использования транзисторов. [56]
При выборе типа транзистора учитывают, что максимальное напряжение на коллекторе транзистора Т1 почти вдвое превышает напряжение питания и равно UK mai t / n Ui 2Un - 1 вКз и максимальный ток в 2 раза больше начального. Рассеиваемая на коллекторе мощность Ррас / кн Л должна быть меньше предельно допустимой для данного транзистора. [57]
Страницы: 1 2 3 4