Тип - транзистор
Cтраница 3
Выбор типа транзистора определяется характером радиоэлектронной схемы, условиями эксплуатации и требованиями к ее выходным электрическим параметрам. При температурах до 80 С обычно используются германиевые транзисторы, а до 100 - 120 С - кремниевые. [31]
Оба типа транзисторов работают только при одной полярности напряжения на затворе. Однако один из них работает на запирание, второй - на отпирание. [32]
Обозначение типа транзистора приводится на его корпусе. [33]
 |
Диаграмма формирования пилообразного напряжения. [34] |
Выбор типа транзисторов преобразователя определяется амплитудными значениями напряжения и тока в нагрузке. [35]
Выбор типа транзистора предоконечного каскада определяется не только необходимой величиной Я, но и величиной / Ср этого транзистора и данными питания его коллекторной цепи. Удобно, чтобы предоконечный каскад мог питаться от того же источника с напряжением Ек, что и оконечный каскад. При малых значениях Кр транзистора предоконечного каскада он обычно работает в режиме усиления, а при больших значениях Кр при необходимости он может работать в режиме умножения частоты. [36]
Требуется выбрать тип транзистора и определить режимные соотношения для схемы фильтра. [37]
Как выбирается тип транзистора для каскадов широкополосного усилителя. [38]
Условно все типы транзисторов можно разделить на две большие группы: с равномерным и неравномерным распределением примесей в базе. [39]
Однако некоторые типы транзисторов успешно выдерживают центробежное ускорение около 2 - Ю5 g без изменения статических характеристик. [40]
Условно все типы транзисторов можно разделить на две большие группы: с равномерным и неравномерным распределением примесей в базе. Эта технологическая особенность оказывает большое влияние на процессы, происходящие в транзисторе, и его характеристики. [41]
 |
Схема образования коллекторного р-п перехода и диффузионной базы в дрейфовых транзисторах. [42] |
Часто этот тип транзисторов называют диффузионными. Дрейфовыми эти транзисторы называются потому, что неравномерное распределение примесей в базе создает электрическое поле, которое ускоряет движение носителей от эмиттера к коллектору и наряду с диффузионным током в базе появляется дрейфовый, обусловленный наличием поля. [43]
Намечают предварительно тип транзистора Т2, исходя из того, что сумма величин / бтах и IR2 не должна превышать предельной величины тока коллектора этого транзистора / ктах - По справочнику находят коэффициент передачи тока транзистора Т2, соответствующий току коллектора, равному полученной сумме токов. [44]
При выборе типа транзисторов в таком ВУ следует учитывать, что допустимое напряжение UK. Транзистор Т3 должен допускать работу в микрорежиме с током коллектора порядка несколько десятков микроампер. [45]
Страницы: 1 2 3 4