Тип - транзистор
Cтраница 2
Этот тип транзистора представляет собой герметически запаянный поверхностно-барьерный транзистор, предназначенный для работы в схемах вычислительных машин. Прибор обладает управляемыми характеристиками насыщения и низким сопротивлением насыщения. Малое время переключения позволяет применять его в переключающих схемах при частоте импульсов, превышающей 20 Мгц. Характеристики переключения такого транзистора контролируются известными величинами ( 3 на высокой частоте и временем накопления дырок. Гибкие выводы могут быть непосредственно сварены или впаяны в схему, обеспечивая надежность соединения. [16]
Выбираем тип транзистора во входном каскаде и схему его включения. [17]
Выбирается тип транзистора, соответствующего условию ( 1 - 273), германиевого или кремниевого в зависимости от внешних условий. [18]
Выбирая тип транзистора для реальной схемы, необходимо учитывать, что допустимое напряжение на нем должно быть больше импульса напряжения на конденсаторе во время обратного хода луча, а допустимый ток в режиме насыщения больше максимального значения тока в конце прямого хода развертки. Для демпферного диода значения тока и напряжения должны быть также больше указанных величин. [19]
 |
Металлокерамический корпус ти - 4 СВЧ тран. [20] |
Все типы транзисторов отличаются большим многообразием конструкций. Это связано с их различным назначением и соответственно с большим разнообразием используемой аппаратуры. [21]
 |
Схема УВЧ. [22] |
Выбор типа транзистора или лампы для УВЧ имеет большое значение. В этих каскадах могут применяться лишь транзисторы с достаточно высокой граничной частотой и лампы с большим внутренним сопротивлением и малой проходной емкостью, например высокочастотные пентоды. [23]
Выбор типа транзистора, обеспечивающего заданное быстродействие логической схемы с непосредственной связью, представляет сложную задачу. Трудность определения оптимальных значений параметров заключается в том, что необходимо выбрать компромиссные значения между многими зависимыми параметрами и режимом схемы. [24]
Обозначение типа транзистора приводится на его корпусе. [25]
Выбор типа транзистора зависит главным обрлзом от величины требуемого коэффициента усиления каскада и заданного напряжения источника питания. Чем больше необходимая величина К, тем большее значение крутизны характеристики S должен иметь транзистор. [26]
Выбор типа транзистора определяется характером радиоэлектронной схемы, условиями эксплуатации и требованиями к ее выходным электрическим параметрам. При температурах до 80 С обычно используют германиевые транзисторы, до 120 С - кремниевые. Хотя кремниевые транзисторы лучше работают при высоких температурах, чем германиевые, они более резко по сравнению с германиевыми уменьшают коэффициент усиления при низких температурах ( от - 20 до - 60 С) и малых токах. [27]
Выбор типа транзистора определяется характером радиоэлектронной схемы, условиями эксплуатации и требованиями к ее выходным электрическим параметрам. При температурах до 80 С обычно используют германиевые транзисторы, до 120 С - кремниевые. Хотя кремниевые транзисторы лучше работают при высоких температурах, чем германиевые, они более резко по сравнению с германиевыми уменьшают коэффициент усиления при низких температурах ( от - 20 до - 60 С) и при малых токах. [28]
 |
Шкала прибора ИТТ-1М. [29] |
Переключатель типа транзистора установить в то же положение, что и при измерениях тока, а переключатель рода работ - в положение, соответствующее выбранному предельному значению измеряемой величины напряжения. После с помощью измерительных щупов присоединить прибор параллельно участку цепи. Отсчет измеряемой величины производится по той же шкале, что и при измерении токов, соответственно для постоянных и переменных напряжений. [30]
Страницы: 1 2 3 4