Тип - электропроводность
Cтраница 1
Тип электропроводности определяется размерами и электроотрицательностью примесных атомов, внедряющихся в междоузлия решеток полупроводников IV группы периодической системы. Эксперимент показывает, что, в противоречие с указанным выше правилом валентности, литий ( I группа), внедряясь в междоузлия решетки германия, будет донором, а кислород ( VI группа) - акцептором. Образовавшийся ион лития меньших размеров может уже внедряться в тесные междоузлия решетки, а освободившийся электрон обусловливает электропроводность n - типа. Внедрение в междоузлия решетки полупроводника атомов кислорода, имеющих сравнительно небольшие размеры и большую электроотрицательность, приводит к захватам электронов из атомов полупроводника, вследствие чего возникает электропроводность / 7-типа. Если атом Ge или Si под влиянием энергетического воздействия перебрасывается в междоузлие, то образуются два примесных уровня: донорный внедренного атома и акцепторный пустого узла. [1]
 |
Распределение легирующих примесей в p ti-n структуре с резкими переходами.| Диаграмма энергетических зон Р - Я - П структуры в равновесном состоянии. [2] |
Тип электропроводности и концентрация примесей в средней области совпадают с типом электропроводности и концентрацией примесей в исходном кремнии, на основе которого изготовлена полупроводниковая структура. Эта область называется базовой или просто базой. Она обозначена на рис. 1.16. буквой п без индекса. [3]
Тип электропроводности определяется размерами и электроотрицательностью примесных атомов, внедряющихся в междуузлия решеток полупроводника IV группы периодической системы. Эксперимент показывает, что, в противоречии с указанным выше правилом валентности, литий ( I группа), внедряясь в междуузлия решетки германия, будет донором, а кислород ( VI группа) - акцептором. Образовавшийся ион лития малых размеров может уже внедряться в тесные междуузлия решетки, а освободившийся электрон обусловливает электропроводность n - типа. [4]
Тип электропроводности определяется размерами и электроотрицательностью примесных атомов, внедряющихся в междуузлия решеток полупроводников IV группы периодической системы. Эксперимент показывает, что в противоречии с указанным выше правилом валентности литий ( I группа), внедряясь в междуузлия решетки германия, будет донором, а кислород ( VI группа) - акцептором. Образовавшийся ион лития маленьких размеров может уже внедряться в тесные междуузлия решетки, а освободившийся электрон обусловливает электропроводность n - типа. Внедрение в междуузлия атомов кислорода, имеющих сравнительно небольшие размеры и большую электроотрицательность, приводит к захватам электронов из атомов полупроводника, вследствие чего возникает электропроводность р-типа. [5]
Тип электропроводности определяется размерами и электроотрицательностью примесных атомов, внедряющихся в междоузлия решеток полупроводников IV группы периодической системы. Эксперимент показывает, что, в противоречие с указанным выше правилом валентности, литий ( I группа), внедряясь в междоузлия решетки германия, будет донором, а кислород ( VI группа) - акцептором. Образовавшийся ион лития меньших размеров может уже внедряться в тесные междоузлия решетки, а освободившийся электрон обусловливает электропроводность n - типа. Внедрение в междоузлия решетки полупроводника атомов кислорода, имеющих сравнительно небольшие размеры и большую электроотрицательность, приводит к захватам электронов из атомов полупроводника, вследствие чего возникает электропроводность / 7-типа. Если атом Ge или Si под влиянием энергетического воздействия перебрасывается в междоузлие, то образуются два примесных уровня: донорный внедренного атома и акцепторный пустого узла. [6]
Какие типы электропроводности наблюдаются в полупроводниках. [7]
Смена типа электропроводности у полупроводника в приповерхностном слое происходит из-за сильного обеднения этого слоя основными носителями заряда, поэтому концентрация неосновных носителей ( дырок) становится больше концентрации электронов. [8]
Оба типа электропроводности полупроводников представляют собой реальные физические процессы, в чем легко убедиться при помощи опытов. [9]
Два типа электропроводности полупроводников представляют собой реальные физические процессы, в чем легко убедиться при помощи опытов. [10]
Оба типа электропроводности полупроводников представляют собой реальные физические процессы, в чем легко убедиться при помощи опытов. [11]
 |
Устройство и принцип действия полевого транзистора с управляющим р-п переходом. [12] |
По типу электропроводности они подразделяются на транзисторы с каналом р - и - типов. [13]
 |
Друза карбида кремния. нормальных температурах - примесная и колеблется в широких пределах. Светлые его кристаллы.| Свойства кристаллов карбида кремния. [14] |
Окраска и тип электропроводности кристалла SiC, состоящего из двух элементов IV группы таблицы Менделеева, зависит от инородных примесей или же определяется избытком атомов Si либо С над стехиометрическим составом. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5