Тип - электропроводность
Cтраница 4
Область вблизи контакта полупроводников с одним типом электропроводности, но с разной концентрацией примесей, обычно обозначают как р - р - или п - п-переход, причем значком отмечают полупроводник с большей концентрацией примесей ( рис. В. При этом в сильно легированной области нарушается компенсация заряда ионизированных примесей, в слабо легированной - создается избыток основных носителей ( рис. В. Последнее отличает объемный заряд в данном случае от образующегося в электронно-дырочном переходе. [46]
Почему контакт двух полупроводников с одним типом электропроводности является невыпрямляющим и неинжектирующим неосновные носители заряда в высокоомную область. [47]
Теллуристый висмут сте-хиометрического состава обладает - типом электропроводности. Анизотропия свойств в монокристаллах теллуристого висмута выражена резко. При переходе от направления, параллельного плоскости спайности, к перпендикулярному направлению удельная проводимость уменьшается в 50 раз, а подвижность электронов - в 40 раз. [48]
Высокоомный кремний, как правило, имеет дырочный тип электропроводности из-за неконтролируемого содержания в нем бора. Электронный кремний получается за счет компенсации акцепторов донорами, чаще всего фосфором. Таким образом, большинство кремниевых монокристаллов, в отличие от германиевых, является в той или иной степени компенсированным, в результате чего используемый кремний имеет обычно заниженные значения подвижности и времени жизни. [49]
Терморезистор представляет собой определенной формы полупроводник одного типа электропроводности с двумя невыпрямляющими контактами. [50]
При глубоком обеднении канала может произойти инверсия типа электропроводности и линия тока между стоком и истоком будет разорвана. [51]
Изменение электрофизических свойств локальных областей полупроводника ( типа электропроводности, удельного сопротивления, диффузионной длины и времени жизни неосновных носителей заряда) достигается путем легирования, или контролируемого введения примесных атомов. В технологии изготовления полупроводниковых ИМС для легирования кремния обычно применяют два метода - диффузию атомов примесей и внедрение ускоренных ионов. [52]
 |
Зависимость изменения поверхностей удельной электрической проводимости полупроводника от внешней разности потенциалов. [53] |
Ау - отрицательно); затем происходит изменение типа электропроводности - образуется инверсный слой. [54]
 |
Конструкция конверсионного триода. [55] |
В исходную пластинку полупроводника проводится диффузия вещества, меняющего тип электропроводности исходного материала. Затем производится шлифовка одной стороны так, что получается р-п-структура. Затем на пластинку в вакууме напыляются полоски для получения эмиттерного и базового контактов. Для кремния, например, эмит-терный контакт напыляется алюминием, а базовый - золотом. После напыления производится вплавление. Триод, изготовленный таким способом, еще не обладает хорошими частотными свойствами, так как механическим путем трудно получить малую площадь коллектора, а следовательно, и малую его емкость. [56]
В исходную пластинку полупроводника осуществляется диффузия вещества, изменяющего тип электропроводности исходного материала. Затем производят шлифовку одной стороны так, что получается структура р-п; на пластинку испарением в вакууме наносят полоски для получения эмиттерного и базового контактов. Для кремниевых транзисторов, например, эмиттерный контакт делают из алюминия, а базовый - из золота. После этого производят вплавление. Транзистор, изготовленный таким способом, еще не обладает хорошими частотными свойствами, так как механическим путем трудно получить малую площадь коллектора, а следовательно, и малую его емкость. Поэтому производится стравливание части кристалла, при этом область его около контактов эмиттера и базы защищается. Затем присоединяют выводы и герметизируют транзистор в корпусе. [57]
 |
Вольт-амперная характеристика германиевого точечного диода. [58] |
Для их изготовления используют кремний с n - типом электропроводности и удельным сопротивлением 0 03 - 0 08 ом-м. Контактная пружинка покрывается алюминием, что обеспечивает после формовки образование высококачественного электронно-дырочного перехода. [59]
Почему на гетеропереходе между двумя полупроводниками с одним типом электропроводности может наблюдаться эффект выпрямления. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5