Тип - электропроводность
Cтраница 3
Наличие у полупроводников двух типов электропроводности используется для создания приборов с вентильным действием. Для этих целей создается контакт между двумя полупроводниками с различными типами электропроводности. В зоне перехода образуется тонкий слой, называемый запирающим. [31]
Наиболее распространенными методами определения типа электропроводности являются методы термозонда и вольт-амперных характеристик. Второй метод будет рассмотрен в гл. [32]
Соответственно этому рассматривают два типа электропроводности - электронную, обусловленную перемещением электронов проводимости, и дырочную, обусловленную перемещением дырок проводимости. [33]
В транзисторе чередуются по типу электропроводности три области полупроводника. В зависимости от порядка чередования областей различают транзисторы типов р-п - р и п-р - п; принцип действия их одинаков. [34]
 |
Коэффициент Холла для металлов ( вблизи комнатной температуры. [35] |
В полупроводнике с одним типом электропроводности сила Лоренца полностью компенсируется полем Холла. В итоге на боковых гранях образца возникает разность потенциалов, а носители заряда, движущиеся со средней скоростью дрейфа, не отклоняются под воздействием магнитного поля от направления внешнего электрического поля. В полупроводнике с двумя типами носителей заряда поле Холла меньше и компенсирует силу Лоренца для каждого из типов носителей заряда не полностью, поэтому их движение отклоняется от направления напряженности внешнего электрического поля. Для характеристики этого эффекта помимо коэффициента Холла используются холловская подвижность ц н - j R у и угол Холла, на который отклонились бы носители зарядят в данном магнитном поле при отсутствии поля Холла, в мВ ( ц - обычная подвижность носителя заряда и у - удельная электрическая проводимость. [36]
При вжигании алюминия в р-облаеть тип электропроводности в поверхностном слое не изменяется и контакт получается омическим. При вжигании алюминия в п-об-ласть могут иметь место два случая. Если исходная до-норная концентрация NKNA, то образуется омический контакт, так как изменение типа электропроводности не происходит. Если ЛГдЛГА1, то IB поверхностном слое происходит изменение типа электропроводности ( с электронной на дырочную) и образуется паразитный р-п-переход, а контакт становится выпрямляющим. [37]
Теллур - полупроводниковое вещество, тип электропроводности которого изменяется при изменении температуры и проявляет кристаллографическую анизотропию. При комнатной температуре удельное сопротивление чистого теллура составляет несколько десятых Ом - см. При повышении температуры в теллуре наблюдается инверсия эффекта Холла. [38]
Теллур - полупроводниковое вещество, тип электропроводности которого изменяется при изменении температуры, и проявляет кристаллографическую анизотропию. При комнатной температуре удельное сопротивление чистого теллура составляет несколько десятых ом см. При повышении температуры в теллуре наблюдается инверсия эффекта Холла. [39]
При вжигании алюминия в р-облаеть тип электропроводности в поверхностном слое не изменяется и контакт получается омическим. При вжигании алюминия в п-об-ласть могут иметь место два случая. Если исходная до-норная концентрация NKNA, то образуется омический контакт, так как изменение типа электропроводности не происходит. Если ЛГдЛГА1, то IB поверхностном слое происходит изменение типа электропроводности ( с электронной на дырочную) и образуется паразитный р-п-переход, а контакт становится выпрямляющим. [40]
В настоящем параграфе рассмотрим полупроводник одного типа электропроводности ( электронной или дырочной), примеси в котором распределяются по некоторому закону. [41]
В собственных полупроводниках одновременно существуют оба типа электропроводности, так как при переходе электрона в зону проводимости возникает дырка в валентной зоне. [42]
Схема усилителя мощности на двух транзисторах противоположных типов электропроводности, но с одинаковыми параметрами ( комплементарная пара) показана на рис. 103, а. [43]
 |
Конструкция кремниевого фотоэлемента. [44] |
Вещество примеси выбирается в зависимости от типа электропроводности полупроводника. Например, для получения р-п-пере-хода в кремний р-типа используют фосфор или сурьму, а в кремний к-типа - бор. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5