Тип - электропроводность
Cтраница 2
 |
Друза карбида кремния. нормальных температурах - примесная и колеблется в широких пределах. Светлые его кристаллы.| Свойства кристаллов карбида кремния. [16] |
Окраска и тип электропроводности кристалла SiC, состоящего из двух элементов IV группы таблицы Менделеева, зависит от инородных примесей или. [17]
 |
Определение типа электропроводности полупроводников. а - при помощи эффекта Холла. б - при помощи нагрева одного из концов испытуемого полупроводника. [18] |
Сущность метода определения типа электропроводности ( р или п) испытуемого полупроводника по изменению знака поперечной ЭДС Холла поясняется на рис. 8 - 3, а. Если поместить пластину из полупроводника во внешнее поперечное магнитное поле Н и приложить: з направлении длины ее разность потенциалов, создающую электрическое поле Е, то вследствие смещения движущихся носителей заряда к одной из граней пластинки возникает поперечная ЭДС, измеряемая вольтметром V. Направление смещения зарядов определяется по правилу левой руки, относящемуся к техническому направлению тока. Из рис. 8 - 3, а видно, что при изменении типа электропроводности меняется и направление отклонения указателя вольтметра. [19]
 |
Принцип устройства планарного транзистора. [20] |
Такой процесс перемены типа электропроводности называют конверсией. [21]
 |
Зависимость относительного изменения сопротивления от относительной деформации кремниевого тензорезистора для материала р - и п-тнпа. [22] |
Чувствительность зависит от типа электропроводности, удельного сопротивления материала, уровня деформации. На рис. 11.3 показана зависимость относительного изменения сопротивления кремниевого тензорезистора от относительной деформации для материалов с электропроводностью п - и / 7-типа. [23]
 |
Определение типа электропроводности полупроводников. а - при помощи эффекта Холла. б - при помощи нагрева одного из концов испытуемого полупроводника. [24] |
Сущность метода определения типа электропроводности ( р или п) испытуемого полупроводника по изменению знака поперечной ЭДС Холла поясняется на рис. 8 - 3, а. Если поместить пластину из полупроводника во внешнее поперечное магнитное поле Н и приложить в направлении длины ее разность потенциалов, создающую электрическое поле Е, то вследствие смещения движущихся носителей заряда к одной из граней пластинки возникает поперечная ЭДС, измеряемая вольтметром V. Направление смещения зарядов определяется по правилу левой руки, относящемуся к техническому направлению тока. Из рис. 8 - 3, а видно, что при изменении типа электропроводности меняется и направление отклонения указателя вольтметра. [25]
В зависимости от типа электропроводности полупроводника и соотношения работ выхода в полупроводнике может возникать обедненный, инверсный или обогащенный слой ( рис. В. Когда работа выхода электронов из металла ( Л) меньше, чем из полупроводника ( Ап), электроны с большей вероятностью переходят из металла в полупроводник. В случае, если полупроводник электронный ( рис. В. Когда же ЛМЛП, в электронном полупроводнике получается обедненный или инверсный слой ( рис. В. В обедненных слоях объемный заряд формируется в результате нарушения компенсации заряда ионизированных примесей основными носителями, а в обогащенных - благодаря накоплению основных носителей. Обогащенный слой обусловливает малое сопротивление прикон-тактной области и выпрямляющие свойства не проявляются. При наличии обедненного или инверсного слоя контакт металл - полупроводник обладает выпрямляющими свойствами и аналогичен электронно-дырочному переходу. [26]
В условиях, когда тип электропроводности материала определяется ионизированными точечными дефектами, и он обладает одним типом электропроводности, его не удается изменить путем легирования примесями. [27]
Наличие у полупроводников двух типов электропроводности - электронной ( п) и электронно-дырочной ( р) позволяет получить полупроводниковые изделия с р-п-переходом. [28]
Наличие у полупроводников двух типов электропроводности - электронной ( п) и электронно-дырочной ( р) позволяет получить полупроводниковые изделия с р - - переходом. Сюда относятся различные типы как мощных, так и маломощных выпрямителей, усилителей и генераторов. Полупроводниковые системы могут быть с успехом использованы для преобразования различных видов энергии в энергию электрического тока с такими значениями коэффициента преобразования, которые делают полупроводниковые преобразователи сравнимыми с существующими преобразователями других типов, а иногда и превосходящими их. Примерами полупроводниковых преобразователей могут служить солнечные батареи и термоэлектрические генераторы. [29]
 |
Атомы трех -, четырех - и пятивалентных. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5