Ток - дырка
Cтраница 1
Ток дырок, рекомби-нирующих в базе, пропорционален избыточному заряду дырок Qp и обратно пропорционален времени жизни дырок Тр, т.е. / ppeK Qp / Tp. [1]
Отношение тока дырок, протекающего через коллекторный переход, к току дырок, протекающему через эмит-терный переход, обозначается о бычио буквой i. Это отношение в известном смысле характеризует интенсивность процесса объемной рекомбинация в базовой области. [2]
В пропускном направлении тока дырки из р-области и электроны из л-области движутся навстречу друг другу к плоскости OR, в запирающем - они расходятся от плоскости OR. Таким образом, в переменном поле толщина запирающего слоя то увеличивается, то уменьшается, что обеспечивает преимущественно одностороннюю проводимость выпрямляющей системы. [3]
Кроме того, возникает ток дырок из коллектора в базу, так как потенциал коллектора относительно базы положителен. В результате коллекторный ток равен теперь разности токов, один из которых составляется дырками эмиттера и течет из базы в коллектор, а другой - в обратном направлении. При увеличении отрицательного потенциала базы обе составляющие увеличиваются, однако их разность остается практически постоянной; увеличивается лишь ток базы. Отсюда следует, что база теряет управляющее действие. Этому соответствует линия критического режима, в которую сливаются восходящие участки выходных характеристик ( рис. 3.5, а) при разных токах базы. [4]
В состоянии теплового равновесия ток дырок ( равно как и ток электронов) через переход равен нулю. Высота потенциальной ступеньки V0 ( внутренний потенциал) между р - и - областями ( величина - qV0, на которую энергия n - области меньше энергии р-области) такова, что уровень Ферми по обе стороны перехода одинаков. [5]
Знак - у диффузионной составляющей плотности тока дырок указывает на то, что направление диффузионного тока противоположно градиенту ах концентрации. [6]
ОПЗ эмиттера приводит к возрастанию доли тока дырок, инжектированных из базы в эмиттер, и снижению коэффициента инжекции. При дальнейшем увеличении тока уровень инжекции становится высоким практически во всей области базы [ n ( x) - N ( x) ] и процессы переноса электронов в базе дрейфового транзистора подобны процессам в базе бездрейфового транзистора. [7]
Для расчета коэффициента передачи тока необходимо определить ток дырок, инжектированных из р-базы в п - эмиттер. Дырки, проникающие в эмиттер дрейфового транзистора, перемещаются в нем не только за счет диффузии, но и под действием электрического поля, обусловленного неоднородным легированием эмиттера, а также эффектом сужения запрещенной зоны в сильнолегированном эмиттере. В состоянии термодинамического равновесия ток электронов эмиттера равен нулю. [8]
 |
Схема процессов накопления дырок в базе транзистора ( знак означает рекомбинацию электрона и дырки. [9] |
ОПЗ коллектора расходуется приращение заряда QCK, обеспечиваемое частью тока дырок / ск. [10]
Поэтому полный ток lk будет равен сумме тока Ik и тока дырок, дошедших до коллектора из базы. [11]
Таким образом, ток коллектора состоит из двух составляющих: тока дырок, пришедших из эмиттера, и обратного тока коллекторного перехода. [12]
Отношение тока дырок, протекающего через коллекторный переход, к току дырок, протекающему через эмит-терный переход, обозначается о бычио буквой i. Это отношение в известном смысле характеризует интенсивность процесса объемной рекомбинация в базовой области. [13]
Пусть 1пз - ток электронов, выходящих из п-области; / пд - ток дырок, выходящих из n - области; 1рэ - ток электронов, выходящих из р-области; / рд - ток дырок, выходящий из р-области. [14]
При этих условиях полный ток на боковую поверхность образца равен нулю, ибо ток дырок равен току электронов по величине, но противоположен по знаку. [15]
Страницы: 1 2 3 4