Ток - дырка
Cтраница 3
 |
Контакт с обогащенным сломи и циэлокт-рическим зазором.| Контакт с инверсионным слоем ( с физическим р-п-пе-реходом.| Контакт с металлургическим р-п-пс-реходом. [31] |
Контакты с обогащенным слоем ( рис. 2, 3, 4) обедняются дырками, ибо то электрич. Поэтому ток дырок БОЧТИ не проходит сквозь обогащенный слой. [32]
С этого момента начинается рост не только тока коллектора, но и тока эмиттера. Увеличение тока дырок эмиттера обусловлено понижением потенциального барьера эмиттерного перехода, вследствие появления в области базы нескомпенсированного отрицательного заряда электронов. Последний возникает за счет того, что потенциальный барьер р-л-переходов препятствует свободному уходу электронов из базы. Рост тока дырок через эмит-терный переход и соответственно рост тока коллектора будет продолжаться до тех пор, пока повышение концентрации дырок ( соответственно и электронов) в базе, а значит и скорости рекомбинации, не приведет к тому, что ток базы будет идти только на рекомбинацию. После окончания импульса тока базы / б концентрация дырок в базе падает за счет рекомбинации и ухода в коллектор. Вследствие этого градиенты концентрации дырок на границах эмиттерного и коллекторного переходов уменьшаются, а значит уменьшаются токи эмиттера и коллектора. [33]
Для прекращения тока / к ( при / 8 0) необходимо на коллектор подать напряжение в пропускном направлении. При этом ток дырок открывшегося коллекторного перехода становится равным току дырок, диффундирующих от эмиттера, и результирующий ток через переход будет равен нулю. [34]
В стационарном режиме картина динамического заряда дырок в базе неизменна. Принимаем, что ток дырок в направлении у равен нулю. [35]
Их так и называют - электронами проводимости, а зону, в которой они находятся, - зоной проводимости. Когда по полупроводнику течет ток дырок, говорят о дырочной проводимости; зона, в которой расположены дырки, называется валентной зоной. [36]
Для этого необходимо знать концентрации электронов и дырок, диффундирующих через р-п переход. Решение будем искать для тока дырок, а потом распространим его и на ток электронов. [37]
В результате из - области в я-область перетекает положительный заряд) и разность потенциалов ср на п - / 7-переходе уменьшается. Этот процесс: рекомбинация, ток дырок из / 7-области в я-область, уменьшение ср - длится до тех пор, пока фото - ЭДС ср не станет равной нулю. [38]
 |
База триода ( РИС 1. Поле Препятствует.| Точечный триод. [39] |
В этом случае коллекторная р-область не имеет вывода и при Ug 0 между ней и соседними re - областями возникают потенциальные барьеры разной высоты, препятствующие переходу основных носителей ( дырок) из р-об-ласти в соседние га-области и электронов из - области в / - область. При ия 0 в базе возникает ток дырок, достигающих первого коллекторного п - / - перехода. [40]
Для прекращения тока / к ( при / 8 0) необходимо на коллектор подать напряжение в пропускном направлении. При этом ток дырок открывшегося коллекторного перехода становится равным току дырок, диффундирующих от эмиттера, и результирующий ток через переход будет равен нулю. [41]
Теперь мы должны вычислить контактную разность потенциалов. Ток из полупроводника в металл состоит из тока электронов и тока дырок. [42]
 |
Направление движения носителей заряда, генерируемых светом. [43] |
При этом ток электронов из электронного полупроводника в дырочный увеличится, а ток дырок в том же направлении не изменится. [44]
Отношение полного тока коллектора к полному току эмиттера называется коэффициентом передачи тока. Полный ток через эмиттерный и коллекторный переходы состоит из тока электронов и тока дырок. Принято разлагать коэффициент передачи тока на три составляющие, каждая из которых характеризует важный механизм работы транзистора. [45]
Страницы: 1 2 3 4