Cтраница 4
На высоких частотах, когда в - области происходит быстрое накопление дырок и компенсирующих их заряд электронов, электронный ток уже не обращается в нуль, а дырочный ток, как видно из (24.17) и (24.18), уже не постоянен по длине. При низких уровнях инъекции электронный ток создается слабым полем Е, которое не сказывается на токе дырок. [46]
У рассматриваемых приборов в цепи эмиттера внешнее сопротивление контакта с алюминиевым эмиттером составляет 10 - 20 ом, а емкость перехода - около 1 мкмкф. Ток смещения, протекающий через эту емкость, уменьшает эффективность эмиттера и должен поддерживаться малым по сравнению с током инъекти-руемых дырок. При эмиттерном токе в 1 ма и соответственно сопротивлении эмиттера 26 ом предельная частота эмиттерной цепи равна примерно 6000 Мгц. [47]
В § 22 при рассмотрении прохождения тока через тонкий диод при больших уровнях инъекции считалось, что ток через тонкий n - слой переносится главным образом неосновными носителями - дырками и рекомбинация в лое незначительна. Аналогичные условия выполняются и в базовой области транзистора, где электронный и ре-комбинационный токи также малы по сравнению с током дырок. [48]
Таким образом, если пренебречь электронным током через эмиттерный переход, то через него протекает только ток дырок, часть которого расходуется на рекомбинацию; другая часть протекает через коллекторный переход. Ток через базовый контакт, являющийся потоком электронов, если еще пренебречь электронным током коллекторного перехода, весь расходуется на рекомбинацию с дырками в базовой области и по абсолютной величине равен разности токов дырок у эмиттерного и коллекторного переходов. [49]
В специальных микромощных транзисторах fiw может доходить до нескольких тысяч, такие транзисторы называют транзисторами супербета. Физическая причина больших значений pw заключается в ре-комбинационной природе базового тока, который в п-р - п транзисторе полностью состоит из дырок. Ток дырок, поступающих в р-базу, нарушает электронейтральность базы, в результате чего потенциальный барьер эмиттерного р-п перехода понижается и из - эмиттера в базу поступают электроны. Но время жизни дырок в базе равно времени жизни электронов тп, а электроны проходят базу за значительно меньшее время: та г o) 2 / ( 2Dn), где w - толщина квазиэлектронейтральной базы. [50]
При дальнейшем уменьшении С / кэ до нуля к коллекторному переходу приложено прямое напряжение. Навстречу току дырок из эмиттера в коллектор начинается противоположное движение основных носителей ( дырок) из коллектора в базу. В результате коллекторный ток при таком уменьшении С / кэ резко падает. [51]
КБ f / кэ - БЭ изменяет свой знак. Навстречу току дырок из эмиттера в коллектор начинается противоположное движение основных носителей ( дырок) из коллектора в базу. [52]
При изменении полярности напряжения ( f / K60) ( рис. 38, б) ток / к быстро уменьшается до нуля и даже меняет направление. Это объясняется тем, что поле открывшегося коллекторного перехода становится ускоряющим для дырок коллектора. При этом ток дырок коллектора становится равным току дырок, диффундирующих от эмиттера, и результирующий ток через коллекторный переход будет равен нулю. [53]
Это объясняется тем, что часть дырок расходуется на рекомбинацию с электронами, пришедшими в эмиттерный слой из базового слоя. Аналогичные процессы имеют место в коллекторном слое. В базовом слое также имеет место зависимость тока дырок от расстояния, обусловленная тем, что дырки рекомбинируют с электронами, которые приходят в базовую область через базовый вывод. В общем виде выражения для токов, которые позволяют описать ВАХ транзистора, имеют сложный вид. [54]