Cтраница 2
Так как знак заряда дырки противоположен знаку заряда электрона, то для возникновения тока дырок, эквивалентного току, создаваемому коллективным движением электронов, знак эффективной массы дырок должен быть противоположен знаку эффективной массы электронов, располагающихся у вершины валентной зоны. Как известно, такие электроны обладают отрицательной эффективной массой. Поэтому эффективная масса дырок должна быть положительной. [16]
В итоге ток электронов через переход эмиттер - база может быть сделан много слабее тока дырок, так что электроны в работе р-п-р-транзистора заметной роли не играют. [17]
На интервале от у до г / 2 в пассивной базе нет источников пополнения тока дырок, и ток базы постоянен. [18]
В режиме насыщения этого транзистора ток вывода электронов из р-базы меньше максимально возможного, а ток дырок превышает минимальное значение, соответствующее активному режиму. [19]
Таким образом, если пренебречь электронным током через эмиттерный переход, то через него протекает только ток дырок, часть которого расходуется на рекомбинацию; другая часть протекает через коллекторный переход. Ток через базовый контакт, являющийся потоком электронов, если еще пренебречь электронным током коллекторного перехода, весь расходуется на рекомбинацию с дырками в базовой области и по абсолютной величине равен разности токов дырок у эмиттерного и коллекторного переходов. [20]
Вольцмана, Т - темп - pa, К - сопротивление внешней цепи, а ток Is равен сумме тем-новых токов дырок и электронов. [21]
А - - постоянная Вольцмана, Т - темп - pa, Н - сопротивление внешней цепи, а ток / 9 равен сумме тем-новых токов дырок и электронов. [22]
Так как предельная частота триода, включенного в обратном направлении, намного ниже предельной частоты, соответствующей ширине базовой области, можно считать, что инъектированный ток дырок не зависит от частоты. [23]
При моделировании интегрального п-р-п-р - тран-зистора необходимо учесть его отличия от двухпереход-ного транзистора, заключающиеся в том, что ширину коллекторной области уже нельзя считать заметно превышающей диффузионную длину дырок в коллекторе; ток дырок, инжектированных из базы в коллектор, представляет собой две составляющие, одна из которых есть рекомбинационный ток, а другая - ток переноса дырок от базы к подложке. Очевидно, что анализ процессов в коллекторной области теперь должен быть проведен так же, как это делается для активной зоны базы с той лишь разницей, что распределение примесей в коллекторе обычно можно считать равномерным, поскольку коллекторная область представляет собой эпитаксиаль-ную пленку, выращенную на поверхности подложки. [24]
Пусть 1пз - ток электронов, выходящих из п-области; / пд - ток дырок, выходящих из n - области; 1рэ - ток электронов, выходящих из р-области; / рд - ток дырок, выходящий из р-области. [25]
Поскольку коллекторный р - / г-переход включен в обратном направлении, все приложенное напряжение падает на нем и после включения ток в цепи равен обратному току отдельно взятого коллекторного перехода / кбо - Этот ток состоит из тока дырок из базы в коллектор и тока электронов из коллектора в базу. Уход из базы дырок и приход в нее электронов приводят к образованию отрицательного заряда в базе. Вследствие этого потенциальный барьер эмиттерного перехода понижается и для компенсации отрицательного заряда в базу из эмиттера входят дырки. [26]
Вклад в темновой обратный ток насыщения / 0 дают два члена: ток J0n электронов, инжектированных в р-базу, который зависит от параметров Мл, fn и базовой области элемента на основе структуры п - р, и ток JQp дырок, инжектированных в легированный слой п - типа, зависящий от Ир, Тр и Sp. Составляющая Jon значительно превышает JQp в тонком легированном слое толщиной 0 2 - 0 5 мкм, в котором тр 10 8 с и Sp 104 см / с. Однако при изменении хотя бы одного из этих параметров легированного слоя может существенно увеличиться вклад / Ор в - А, что приведет к уменьшению Voc. Из-за очень малой толщины - слоя и очень высоких значений ND ( 1019 - 1020 см 3), а также наличия почти наверняка неоднородных распределений ND, тр и др эти параметры и Sp трудно точно измерить и еще труднее удовлетворительно промоделировать. [27]
Диффузия носителей через переход становится практически невозможной, поэтому ток / а / диф - / др - др - В этом случае поле р-п перехода втягивает все подошедшие к нему неосновные носители независимо от потенциального барьера и через переход протекает только ток неосновных носителей: ток дырок из n - области в р-слой и электронов из р-в я-слой. Однако ток неосновных носителей, или обратный ток, значительно меньше прямого тока через р-п переход в случае 2, так как число неосновных носителей в полупроводнике мало. [28]
Ток дырок через тело коллектора, где они являются основными носителями, дрейфовый. Электрическое поле, обеспечивающее этот ток, вызывает дрейф электронов в сторону базы. [29]
Для перевода триггера в другое устойчивое состояние потенциал шины щ понижается. Соответственно ток дырок от базы включенного транзистора 77 отводится и он выключается, а транзистор ТО включается, так как ток от рг-базы перестает отводиться. [30]